技术编号:6923573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有颈状信道(necking channel)的场效晶体管(Field Effect Transistor;FET)和其制造方法。特别是涉及一种具有颈状信道的垂直双栅极(vertical double gate)金氧半场效晶体管(MOSFET)和其制造方法。请参照图1,图1为绘示现有的FINFET的信道结构的仰视示意图。其中由硅材料制成的源极20、信道80和漏极30形成于障碍氧化层(barrier oxide)15上,而障碍氧化层15形成于基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。