专利名称：具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种具有颈状信道(necking channel)的场效晶体管(Field Effect Transistor；FET)和其制造方法。特别是涉及一种具有颈状信道的垂直双栅极(vertical double gate)金氧半场效晶体管(MOSFET)和其制造方法。
请参照图1，图1为绘示现有的FINFET的信道结构的仰视示意图。其中由硅材料制成的源极20、信道80和漏极30形成于障碍氧化层(barrier oxide)15上，而障碍氧化层15形成于基材(未绘示)上。信道80为一长方体，即从一端至另一端的宽度均相同。如信道80的宽度愈窄，则栅极电压(Vg)对漏极电流(Id)的控制能力愈灵敏，亦愈能够防止短信道效应发生，且可改善次临界摆动(subthreshold swing)。然而，为达成前述的效果，往往需要使用相当狭窄的信道，如数十纳米，而如此狭窄的信道80会带来串联信道电阻值(series channelresistance)太大的问题，在设计和使用上均造成极大的困难。另外，在制作FINFET的过程中，当在进行金属硅化(silicidation)的步骤时，狭窄的信道特别是连接源极(source)和漏极(drain)的位置非常容易受到损坏。
因此，非常迫切需要发展出一种信道结构，不但可以有效地抑制短信道效应的发生，增加栅极电压对漏极电流的控制灵敏度，改善次临界摆动，而且有较小的串联信道电阻值，以减少设计和使用上的困难度。此外，更可在进行金属硅化的步骤时，避免使FINFET的结构特别是狭窄的信道受到损坏。
因此，本发明的一目的为提供一种具有颈状信道的场效晶体管，藉以在达到增加栅极电压对漏极电流的控制灵敏度，防止短信道效应发生，以及改善次临界摆动的目标时，同时可减少串联信道电阻值。
本发明的再一目的为提供一种具有颈状信道的场效晶体管，其中在进行金属硅化的步骤之前形成包裹间隙壁(wrap up spacer)，藉以在进行金属硅化的步骤时，避免使FINFET的结构特别是狭窄的信道受到损坏。
本发明的又一目的为提供一种具有颈状信道的场效晶体管的制造方法，用以有效地形成源极、漏极和颈状信道，以及后续的栅极和包裹间隙壁等。
依据本发明的上述目的，因此本发明提供一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管至少包括SOI(Silicon On Insulator)基板或类似的基板结构，其中此基板包括硅基材、形成于硅基材上的障碍氧化层(barrier oxide)，和形成于障碍氧化层上的硅材料层；由硅材料层所制成的源极、漏极和连接源极和漏极的颈状信道，其中此颈状信道的最大宽度位于信道的两端，而最小宽度位于信道的中间位置；形成于颈状信道的中间位置的栅极；以及包裹间隙壁，其中包裹间隙壁覆盖住信道，和源极与漏极的主动区域。
换言之，本发明的具有颈状信道的场效晶体管，至少包括一基板，其中该基板包括一基材；一障碍氧化层形成于该基材上；以及一硅材料层形成于该障碍氧化层上；一源极；一漏极；一颈状信道，其中该颈状信道连接于该源极和该漏极之间，且该源极、该漏极和该颈状信道是由该硅材料层所制成，而该颈状信道具有一第一宽度和小于该第一宽度的一第二宽度，该第一宽度约位于该颈状信道的一端和另一端，该第二宽度约位于该颈状信道的一中间位置，该颈状信道的形状为由该端逐渐缩小至该中间位置，再由该中间位置逐渐扩张至该另一端；以及一栅极层，其中该栅极层形成于该颈状信道的该中间位置，该栅极层至少包括一栅极氧化层形成于该颈状信道的该中间位置的周围侧面；以及一栅极材料层沉积于该栅极氧化层上。
另外，本发明的具有颈状信道的场效晶体管的制造方法至少包括提供一基板，例如SOI基板，其中此基板包括硅基材、障碍氧化层形成于硅基材上、和硅材料层形成于障碍氧化层上；以OD掩膜(mask)对硅材料层进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极和漏极；以及形成栅极氧化层于颈状信道的中间位置的周围，其中亦可形成硬掩膜层(例如氧化物或氮化物)于信道的中间位置的上方后，再沉积栅极材料，例如多晶硅或金属材料；进行沉积和蚀刻制程来形成包裹间隙壁，例如氧化物或氮化物，以覆盖信道，和源极与漏极的主动区域。
本发明的主要优点为提供一种具有颈状信道的场效晶体管，在达到增加栅极电压对漏极电流的控制灵敏度，防止短信道效应发生，以及改善次临界摆动的目标时，同时可减少串联信道电阻。而且本发明的信道的两端较宽，故不易为金属硅化步骤所损坏。
本发明的再一优点为提供一种具有颈状信道的场效晶体管，本发明在进行金属硅化步骤之前形成包裹间隙壁，故在进行金属硅化的步骤时，可以避免使FINFET的结构特别是狭窄的信道受到损坏。
本发明的又一优点为提供一种具有颈状信道的场效晶体管的制造方法，可以有效地形成源极、漏极和颈状信道，以及后续的栅极和包裹间隙壁等。
本发明的较佳实施例将于往后的说明文字中辅以下列附图做更详细的阐述，其中图1为绘示现有的FINFET的信道结构的仰视示意图；图2为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的信道结构的仰视示意图；图3为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的仰视示意图，其中间隙壁尚未形成；图4为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的剖面示意图(由图3的A-A的方向观的)；图5为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的仰视示意图，其中间隙壁已形成；以及图6A至图6D为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的制造方法的流程的剖面示意图(由图3的B-B的方向观的)。
图中符号说明12 基材15 障碍氧化层18 硅材料层20 源极30 漏极80、100 信道102 最小宽度104 最大宽度200 栅极层220 栅极氧化层230 硬掩膜层240 栅极材料层320、330、340、350包裹间隙壁请参照图2，图2为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的信道结构的仰视示意图。本发明的主要特征的一在于提供一颈状信道100，此颈状信道100的中间位置约为最小宽度102，两端则分别约为最大宽度104。颈状信道100的形状为由具有最大宽度104的一端逐渐缩小至具有最小宽度102的中间位置，再由此具有最小宽度102的中间位置逐渐扩张至具有最大宽度104的另一端。最小宽度102可为例如约10纳米至约50纳米，藉以充分达到增加栅极电压对漏极电流的控制灵敏度，改善次临界摆动，以及防止短信道效应发生的目标。同时，由于两端有最大宽度104，其宽度远大于最小宽度102，故与如图1所示的现有FINFET的细长方形的信道80相较，本发明的具有颈状信道的场效晶体管的信道100可大幅地减少串联信道电阻值。另外，当进行金属硅化的步骤以降低金氧半场效晶体管的电阻值时，由于本发明的信道100的两端远比现有的信道80的两端来得宽，故信道100耐损害的能力亦较现有的信道80高出许多。
请参照图3和图4，图3为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的仰视示意图，其中间隙壁尚未形成；而图4为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的剖面示意图(由图3的A-A的方向观的)。本发明的具有颈状信道的场效晶体管至少包括一基板，此基板可为SOI基板或其它类似结构的基板，其中此基板包括有基材12如硅基材、形成于基材12上的障碍氧化层15，和形成于障碍氧化层15上的硅材料层18。本发明还至少包括在硅材料层18上所制成的源极20、漏极30和连接源极20和漏极30的颈状信道100，其中此颈状信道100的约最大宽度位于颈状信道100的两端，而其约最小宽度位于颈状信道100的中间位置。颈状信道100的形状为由具有约最大宽度的一端逐渐缩小至具有约最小宽度的中间位置，再由此具有约最小宽度的中间位置逐渐扩张至具有约最大宽度的另一端。本发明又至少包括栅极层200形成于颈状信道100的中间位置，其中此栅极层200至少包括栅极氧化层220形成于颈状信道100的中间位置的周围侧面，其中亦可有硬掩膜层230(例如氧化物或氮化物)形成于颈状信道100的中间位置的上方；以与栅极材料层240(例如多晶硅或金属材料)沉积于栅极氧化层220和硬掩膜层230(非必须的)上。
请参照图5，图5为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的仰视示意图，其中间隙壁已形成。本发明的具有颈状信道的场效晶体管还至少包括包裹间隙壁320、330、340和350，其中包裹间隙壁340和350覆盖住颈状信道100，包裹间隙壁320和330覆盖住源极20与漏极30的主动区域，而包裹间隙壁320、330、340和350可为例如氧化硅或氮化硅所制成。当进行金属硅化的步骤以降低金氧半场效晶体管的电阻值时，包裹间隙壁340和350可以保护信道100，包裹间隙壁320和330可以保护源极20与漏极30的主动区域，藉以避免信道100，和源极20与漏极30的主动区域受到损害。
另外，请参照图6A至图6D，图6A至图6D为绘示本发明的具有颈状信道的场效晶体管的制造方法的流程的剖面示意图(由图3的B-B的方向观的)。本发明的具有颈状信道的场效晶体管的制造方法至少包括下列步骤。首先，如图6A所示，提供一基板，例如SOI基板，其中此基板的形成方法包括提供一基材12如硅基材；形成障碍氧化层15于基材12上；以及形成硅材料层18于障碍氧化层15上。接着，如图6B所示，以OD掩膜(mask)对硅材料层进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道100、源极20和漏极30。然后，如图6C所示，形成栅极氧化层220于颈状信道的中间位置的周围侧面，其中亦可形成硬掩膜层230(例如氧化物或氮化物)于信道的中间位置的上方后。然后，如图6D所示，再沉积栅极材料层240(例如多晶硅或金属材料)于栅极氧化层220和硬掩膜层230(非必须的)上，接着进行沉积和蚀刻工艺，形成包裹间隙壁340和350覆盖住信道100，和包裹间隙壁320和330覆盖住源极20与漏极30的主动区域，包裹间隙壁320、330、340和350可为例如氧化物或氮化物。
如本领域技术人员所了解的，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用以限定本发明的申请专利范围；凡其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在权利要求书的范围内。
权利要求
1.一种具有颈状信道的场效晶体管，至少包括一基板，其中该基板包括一基材；一障碍氧化层形成于该基材上；以及一硅材料层形成于该障碍氧化层上；一源极；一漏极；一颈状信道，其中该颈状信道连接于该源极和该漏极之间，且该源极、该漏极和该颈状信道是由该硅材料层所制成，而该颈状信道具有一第一宽度和小于该第一宽度的一第二宽度，该第一宽度约位于该颈状信道的一端和另一端，该第二宽度约位于该颈状信道的一中间位置，该颈状信道的形状为由该端逐渐缩小至该中间位置，再由该中间位置逐渐扩张至该另一端；以及一栅极层，其中该栅极层形成于该颈状信道的该中间位置，该栅极层至少包括一栅极氧化层形成于该颈状信道的该中间位置的周围侧面；以及一栅极材料层沉积于该栅极氧化层上。
2.如权利要求1所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该具有颈状信道的场效晶体管还至少包括多个包裹间隙壁，其中该些包裹间隙壁覆盖住该颈状信道和该源极与该漏极的主动区域。
3.如权利要求1所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该基材为硅基材。
4.如权利要求1所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该基板为SOI基板。
5.如权利要求1所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该栅极材料层的材质为多晶硅。
6.如权利要求1所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该栅极材料层的材质为金属材料。
7.如权利要求2所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该些包裹间隙壁的材质为氧化硅。
8.如权利要求2所述的具有颈状信道的场效晶体管，其特征在于该些包裹间隙壁的材质为氮化硅。
9.一种具有颈状信道的场效晶体管的制造方法至少包括提供一基板，其中该基板的形成方法包括提供一基材；形成一障碍氧化层于该基材上；以及形成一硅材料层于该障碍氧化层上；以OD掩膜对该硅材料层进行光刻和蚀刻工艺来形成一颈状信道、一源极和一漏极；形成一栅极氧化层于该颈状信道的一中间位置的周围侧面；以及沉积一栅极材料层于该栅极氧化层上。
10.如权利要求9所述的具有颈状信道的场效晶体管的制造方法，其特征在于该具有颈状信道的场效晶体管的制造方法还至少包括进行沉积和蚀刻工艺以形成多个包裹间隙壁来覆盖住该颈状信道和该源极与该漏极的主动区域。
全文摘要
一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管，本发明的场效晶体管至少包括源极和漏极间的信道，其中此信道为中间细两端宽的颈状结构，藉以避免发生短信道效应，且同时可减少串联信道电阻值；以及包裹间隙壁，其中包裹间隙壁覆盖住信道，和源极与漏极的主动区域，藉以避免这些区域被金属硅化。本发明的制造方法至少包括在SOI基板或类似结构上，以OD掩膜进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极、漏极；以及于沉积栅极材料层之后，形成包裹间隙壁。
文档编号H01L21/335GK1466226SQ0212234
公开日2004年1月7日 申请日期2002年6月14日 优先权日2002年6月14日
发明者陈豪育, 陈方正, 詹宜陵, 杨国男, 杨富量, 胡正明 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司