技术编号:6924013
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及外延SiC单晶衬底以及外延SiC单晶衬底的制造方法。 背景技术碳化硅(SiC)是相对于硅(Si)带隙(band gap)大的半导体,被期待应用到功率 器件、高频器件以及高温工作器件等。作为SiC存在多种多型体(polytype),但为了制作实用的SiC电子器件而使用的 多型体是4H-SiC。作为用于制造SiC电子器件的衬底,通常使用由以升华法制作出的块状 结晶加工得到的SiC单晶晶片,在其上形成作为SiC半导体器件的活性区域的SiC外延生 长膜。...
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