技术编号：6924180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构的方法，该结构 包括衬底，以及通过将材料沉积在衬底的一面上而形成的层。背景技术技术的发展显示，可以利用合适的技术，例如PECVD( “等离子增强化学气相沉积” 的首字母缩写)，来选择衬底的面以将薄层沉积在所选的面上。然而，这一过程很复杂，可能 弓丨入金属杂质，并且沉积层可能分层。采用非选择性技术使得在衬底的两面上都进行沉积。然后可以消除沉积在不希望 的表面上的层。为达此目的，可以将例如想要保存的层键...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。