技术编号:6925180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS半导体装置及其制造方法,尤其涉及将high-k材料用于栅 极电极的CMOS半导体装置及其制造方法。背景技术近年来,在CMOS半导体装置中,伴随着微细化,由SiON或SiO2构成的栅极绝缘层 薄膜化,因隧道现象穿过栅极绝缘层的漏电流成为问题。相对于此,将铪等high-k材料(高介电常数材料)用于栅极绝缘层,使栅极绝缘 层为固定的膜厚,防止发生漏电流。另外,在将high-k材料用于栅极电极的情况下,在与硅 栅极电极的界面发生费米能级的钉扎...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。