技术编号：6925427
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料的制造方法，特别涉及一种形成低介电常数材料的方法及利用此方法所制造的低介电常数材料。为了有效地降低导线间寄生电容(parasitic capacitance)和元件的RC延迟，内连线的制作过程逐渐使用具有低介电常数(例如k＝2.5-3.0)的有机介电材料等，来取代传统的二氧化硅以及氮化硅等材料(k例如为4以上)，上述有机介电材料例如为，伸芳香基醚类聚合物(poly(arylene ether)polymer)。传统的介质材料(氧化硅...
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