技术编号：6926330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发叨涉及使半导体晶片等的被处理体的表面堆积TiN(氮化钛)背景技术一般地对于半导体器件，根据最近的高密度化、高集成化的要求， 大多使电路构成为多层布线结构。该情况下，填埋作为下层器件与上 层铝布线的连接部的接触孔或作为下层铝布线与上层铝布线的连接部 的通路孔等的技术，为了谋求两者的电连接而变得重要。作为填埋接触孔或通路孔等的技术，一般使用溅射—铝或CVD鸨。 最近，从填埋性能更高这一原因出发，存在主要使用CVD钨的倾向。可是，在下层的硅层或铝布线上直接形...
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