成膜方法

专利名称：成膜方法
技术领域：
本发叨涉及使半导体晶片等的被处理体的表面堆积TiN(氮化钛)
背景技术：
一般地对于半导体器件，根据最近的高密度化、高集成化的要求， 大多使电路构成为多层布线结构。该情况下，填埋作为下层器件与上 层铝布线的连接部的接触孔或作为下层铝布线与上层铝布线的连接部 的通路孔等的技术，为了谋求两者的电连接而变得重要。
作为填埋接触孔或通路孔等的技术，一般使用溅射—铝或CVD鸨。 最近，从填埋性能更高这一原因出发，存在主要使用CVD钨的倾向。
可是，在下层的硅层或铝布线上直接形成鸨膜的场合，在它们的 边界部分，山于氟的浸蚀使得在硅中形成的扩散层被破坏，或与上层 的附着忭劣化。这在要求省电及高速动作的现在的半导体器件上不令
另外，在将钨用于填埋的场合，在该工艺中使用的处理气体之-一 WF6气体向Si衬底侧侵入，可使电特性等劣化。此倾向不令人满意。
于是，为了防止上述现象，在用钨填埋接触孔或通孔等之前，在 包括孔内的表面在内的晶片表面整个区域薄薄地形成阻挡金属层。作 为该阻挡金属层的材料， 一般使用Ti / TiN(氮化钛)2层结构或TiN膜 单层结构。作为先行技术，存在特开平6 — 89873号公报、特开平10
——106974号公报、及Decomposition Property of Methylhydrazine with Titanium Nitridation at Low Temperature(第934 — 938页，J.Electrochem.
人满意。例如，以单独形成TiN膜的情况为例来说明，作为成膜气体例如
使用TiCl/气体和NH3气体。这些气体同时向被真空抽吸的处理容器内 连续导入规定的时间。然后，采用在所规定的工艺温度下的热CVD(化 学汽相淀积)在晶片表面上堆积.TiN膜。TiN膜形成后，在同一处理容 器内TiCl4气体不流通，只使NH3气体只流通所规定的时间(所谓的NH3 气体后流通)。据此，残存于TiN膜中的Cl元素被排除。进行这样的后 流通的理由是闪为，当CI元素在膜中存在时，电阻率增加，或发生膜 的腐蚀。
可是，在形成上述TiN膜的场合，为了提高生产量，例如在560 。C左右的比较高温的工艺温度下形成TiN膜。这样，工艺温度比较高， 所堆积的膜难产生微裂纹等裂纹。可是，本发明人发现，当所堆积的 TiN膜的膜厚大到某种程度以上时，发生微裂纹。
另外也有下述不良情况在形成TiN膜的基底层例如为Ti层的场 合，在其上堆积的TiN膜比较容易剥落。

发明内容
本发明是着眼于以上的问题，为有效地解决该问题而完成的。本 发明的目的在于，提供即使在比较高温的状态下也能够形成难发生微 裂纹或剥落的金属氮化膜的成膜方法。
本发明为 种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理
体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，具备下述工序向高 成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性气体 的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序； 在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供给期 间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体 的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气 体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含 氮还原气体的工序，其中在上述金属源气体的1次供给期间中形成的 上述金属氮化膜的膜厚是'60nm或以下。
根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积 氯浓度低、电阻率也小、也抑制了裂纹发生的金属氮化膜。高成膜温度具体为50(TC—700。C。
优选的是，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短 的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在供给上述含 氮还原气体的同时供给还原力比该含氮还原气体强的第2含氮还原气 体。
或者，优选的是，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇 期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在供给 上述含氮还原气体的同时供给等离子辅助气体，以发生等离子体。该 情况下，进一歩优选的是，在供给上述等离子辅助气体的同时供给还
原气体。
另外，本发明是一种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在
被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，具备下述工序
向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体及含氮还原气体的T
序；和在上述惰性气体及含氮还原气体的连续的供给过程中，向处理 容器内间歇地供给金属源气体的工序；其中在上述金属源气体的1次 供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积 氯浓度低、电阻率也小、也抑制了裂纹发生的金属氮化膜。
该场合的高成膜温度也具体为50(TC—70(TC。
优选的是，在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属 源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给还 原力比上述含氮还原气体强的第2含氮还原气体。
或者，优选的是，在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上 述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内 供给等离子辅助气体，以发生等离子体。该情况下，进一步优选的是， 在供给上述等离子辅助气体的同时供给还原气体。
另外，本发明是一种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在 被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，具备下述工序 向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性 气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工 序；在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供
10给期间中，在比该供给期间短的期间向处理容器内供给含氮还原气体 的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气 体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含 氮还原气体的工序，其中在上述金属源气体的1次供给期间中形成的 上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积 氯浓度低、电阻率也小、也抑制了裂纹发生的金属氮化膜。
该场合的高成膜温度也具体为50(TC—70(TC。
优选的是，在上述金属源气体的供给期间中，在比读供给期间短 的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，上述含氮还原 气体的供给的开始或停止的任1个与上述金属源气体的供给的开始或 停止同时。
另外，优选的是，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇 期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在供给 上述含氮还原气体的同时供给还原力比该含氮还原气体强的第2含氮 还原气体。
或者，优选的是，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇 期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在供给 上述含氮还原气体的同时供给等离子辅助气体，以发生等离子体。该 情况下，进一步优选的是，在供给上述等离子辅助气体的同时供给还 原气体。 .
另外，本发明是一种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在
被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，具备下述工序 向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性
气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工 序；在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供 给期间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原
气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属 源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给还 原力比上述含氮还原气体强的第2含氮还原气体的工序，其中在上述 金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积 氯浓度低、电阻率也小、也抑制了裂纹发生的金属氮化膜。
该场合的高成膜温度也具体为500°C —70(TC。
另外，本发明是一种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在
被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，具备下述工序
向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性 气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工 序；在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供
给期间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原
气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属
源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短且与下一个上述金属源气体 的供给期间连续的期间内向处理容器内供给等离子辅助气体，以发生 等离子体的工序，其中在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上
述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积 氯浓度低、电阻率也小、也抑制了裂纹发生的金属氮化膜。
该场合的高成膜温度也具体为500°C —70(TC 。
优选的是，与上述等离子辅助气体的供给同时地供给还原气体。
再者，上述金属源气体例如是TiCU气体，上述含氮还原气体例如 是NH3气体。
此情况下，在形成上述金属氮化膜的上述被处理体的表面形成Ti 层作为基底层，在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属 氮化膜的膜厚优选是20nm或以下。
另外，上述惰性气体例如是N2气体。或者上述惰性气体是Ar气体。
第2含氮还原气体例如是肼、单甲基肼、二甲基肼的任l种。


图1是表示用于实施有关本发明的成膜方法的处理装置的一例的 截面构成图。图2是表示本发明方法的第1实施方案中的各种气体的供给时机 的图。
图3是表示气体供给的循环数和TiN膜的电阻率的关系的曲线图。 图4是表示晶片温度和TiN膜中的氯浓度的关系的曲线图。 图5是表示电阻率对于膜厚的关系的曲线图。 图6是表示应力对于膜厚的温度依赖性的关系的曲线图。 图7是表不第1实施方案的第1变形例中的各种气体的供给时机 的图。
图8是表示第1实施方案的第2变形例中的各种气体的供给时机
及等离子体发生的时机的图。
图9是表示本发明方法的第2实施方案中的各种气体的供给时机 的图。
图10是表示第2实施方案的第1变形例中的各种气体的供给时机 的图。
图11是表示第2实施方案的第2变形例中的各种气体的供给时机 及等离子体发生的时机的图。
图12是表示本发明方法的第3实施方案中的各种气体的供给时机
图13是表示第3实施方案(i)中的各种气体的供给时机的图。 图14是表示第3实施方案(ii)中的各种气体的供给时机的图。 图15是表示第3实施方案的第1变形例中的各种气体的供给时机 的图。
图16是表示第3实施方案的第2变形例中的各种气体的供给时机 及等离子体发生的时机的图。'
图17是表示本发明方法的第4实施方案中的各种气体的供给时机 的图。
图18是表示本发明方法的第5实施方案中的各种气体的供给时机 及等离子体发生的时机的图。
图19是表示TiN膜的整体膜厚与经1个循环形成的膜厚的关系的图。
具体实施例方式
以下基于附图详细叙述有关本发明的成膜方法的实施方案。
图1是表示用于实施有关本发明的成膜方法的处理装置的一例的
截面构成图，图2是表示本发明方法的第1实施方案中的各种气体的 供给时机的图。在此，处理装置是等离子CVD成膜装置，以金属氮化 膜是TiN膜的情况为例来说明。再者，该装置如果不外加高频电压而 不产牛等离子体，则可作为热CVD成膜装置使用。
如图1所示，作为处理装置的等离子CVD成膜装置10，例如具有 釆川镍或镍合金成型为圆筒体状的处理容器12。在处理容器12的顶板 部设置着在下面具有多个气体喷出孔(流路)14A、 14B的喷淋头部16。 据此，能够将作为处理气体的例如成膜气体等向处理容器12内的处理 空间S导入。喷淋头部16内例如被分离划分成2个气体空间17A、17B， 各气体空间17A、 17B分别连通着上述各气体喷射孔14A、 14B。据此， 在处理空间S中两种气体可被初次混合。再者，该气体供给方式被称 为后混合。
喷淋头部16的整体例如采用镍或镍合金等导电体形成，兼做上部 电极。作为上部电极的喷淋头部16的外周侧及上方侧例如采用包含石 英或氧化铝(Ah03)等的绝缘体18覆盖整体。喷淋头部16通过该绝缘 体18以绝缘状态被安装固定在处理容器12中。该场合，在喷淋头部 16和绝缘体18和处理容器12的各接合部之间分别夹插着例如包含O 圈等的密封构件20。据此，维持着处理容器12内的气密性。
并且，在喷淋头部16通过匹配电路22及开闭开关23连接着例如 发生450KHz的高频电压的高频电源24。据此，对作为上部电极的喷 淋头部16根据需要外加高频电压。再者，该高频电压的频率不限定于 450KHz，也可以使用其他的频率、例如13.56MHz等。
并且，在处理容器12的侧壁形成用于将晶片运进运出的运输出入 口 26。在该运输出入口 26按可开关方式设置着闸门28。在该闸门28 h可连接未图示出的load—lock室或传送室等。
另外，在处理容器12的底部设置着排气口 30。在该排气口 30上 连接着在中途夹设了未图示出的真空泵等的排气管31。据此，处理容 器12内根据需要可真空抽吸。并且，为了在处理容器12内载置作为被处理体的半导体晶片W，设置着从其底部通过支柱32而升起的载置
台34。该载置台34兼做下部电极。并且，在作为下部电极的载置台 34和作为上部电极的喷淋头部16之间的处理空间S中通过高频电压而 可发生等离子体。
具体讲，载置台34例如整体由A1N等的陶瓷构成，在它的内部 例如由钼线等电阻元件构成的加热器36排列成所规定的图形形状而埋 设。在该加热器36上通过布线37连接着加热器电源38。据此，根据 需要向上述加热器36供电。而且，在载置台34的内部在加热器36的 上方将例如钔线等编成网状而成的电极本体40遍及载置台34的面内 方向大致整个区域而被埋设。该电极本体40通过布线42接地。再者， 该电极本体40也可以外加作为偏压的高频电压。
并且，在载置台34上形成了上下方向贯通的多个销孔44。在各销 孔44中以自由嵌套状态容纳着下端与连结环46公共地连结的例如石 英制的上推销48。连接环46连接在贯通容器底部并可上下移动地设置 的出没杆50的上端。出没杆50的下端与气缸52连接。据此，各上推 销48在接收送出晶片W时可从各销孔44的上端向上方突出、或向下 方沉降。另外，在因出没杆50而形成的容器底部的贯通部设置着可伸 縮的波纹管54。据此出没杆50 —边维持处理容器12内的气密性一边 可升降。
在作为下部电极的载置台34的周边部设置着用于使等离子体集中 于处理空间S的聚焦环56。另外，在喷淋头部16的顶板部分别连接着 气体配管58A、 58B，并使得与各气体空间17A、 17B连通。
从 个气休配管58B可与载气(例如N2气体)一起供给作为惰性气 体的N2气体或者Ar气体或作为金属源气体的TiCl4气体。另外，从另 一个气体配管58A可供给作为含氮还原气体的NH3气体、作为等离子 辅助气体的Ar气体、还原气体Hb气、或作为还原力比上述NH3气体 强的第2含氮还原气体之一的MMH(单甲基肼)等。
在此，在上述说明中，言及了在后述的实施方案中使用的全部的 气体，但上述各气体并不是在1个成膜工艺中全部使用，根据后述的 各实施方案只供给必要的气体。因此，上述各气体当然地可分别根据 需要进行个别地选择性地供给及停止供给。另外，关于流量控制也可
15按各气体而个别地进行。
另外，在此，说明了设置发生等离子体的高频电源24的例子，但
也可有不使用等离子体而仅采用热CVD进行成膜处理的情况。那样的 热CVD的成膜处理例如采用灯加热的成膜装置也可进行。 参照图2说明成膜方法的第1实施方案。
在此，不使用等离子体而采用热CVD堆积TiN膜。在该第1实施 方案中，作为惰性气体使用N2气体(参照图2(A))，作为金属源气体使 用TiCU气休(参照图2(B))，作为含氮还原气体使用NH3气体(参照图 2(C))。上述各气体如图2所示在时间上脉冲状地供给。即，惰性气体 N2气体连续地供给，而金属源气体TiCU气体间歇地供给，含氮还原气 休NH3气休在供给上述金属源气体的同时供给，同时，在上述金属源 "C体的间歇期间1 一也在比该间歇期间短的期间供给。
在此，图2中的"ON"表示气休的供给状态，"OFF"表示气体的 供给停止状态。此点在表示以下的气体供给时机的其他图中也同样。
如图2所示，在处理容器12内被真空抽吸的状态下连续地流通 N2气体，间歇地流通TiCU气体，NH/气体与TiCU气体同时地流通及 在TiCU气体的间歇期间Tl中在比该间歇期间短的期间中流通。据此， 只根据需要的次数反复进行沉积(TiN膜的堆积)一N2吹扫一NH3流通 (TiN膜的氮化(氯的还原))一N2吹扫(一沉积一N2吹扫一NH3流通一)… 这一工序的循环。在上述沉积工序时TiN膜堆积，在NH3流通工序时， TiN膜中的残存氯离开，该部分被氮化(进行氯的还原)。
在此，从在某个时机开始供给TiCU气体的时刻到下次开始供给 TiCU气体的时刻的时长定义为1个循环。在本实施方案中，该1个循 环的吋长大致是40秒左右。当然，1个循环的时长不限定于此，例如 是10 — 60秒左右的范围内。.
另夕卜，同时供给TiCU气体和NH3气体的供给期间T2是10秒左右， 单独供给NH3气体的供给期间T3是10秒左右，供给期间T3设定在 TiCU气体的间歇期间Tl的大致中间。
工艺温度(成膜温度)为比较高的温度、例如500 — 700'C(在晶片温 度下)的范围内，具体例如是60(TC 。
关于气体流量，&气体是500sccm左右，TiCl4气体是30sccm左
16右，NH3气体是30sccm左右。
此情况下，以1个循环(包括金属源气体的1次供给期间)形成的 TiN膜的膜厚的范围也取决于工艺温度，但设定成60nm或以下。关于 该点后面叙述。 ，.
这样，通过间歇地流通成膜气体，经多次间歇地顺序堆积微薄的 薄膜，在比较高温的工艺温度下能将TiN膜中所含的氯浓度抑制得低。 而且，能制成电阻率也小、还抑制了裂纹发生的TiN膜。另一方面， 由于比较高温的工艺温度，从而维持了高的生产量。另外，在填埋通 孔或接触孔的场合也如上述那样，能够不发生裂纹并良好且高效率地 填埋。
特别是在该第1实施方案中，如图2所示，沉积工序的前后成为 N2吹扫工序，因此能完全排除有助于成膜的气体TiCl4气体和NH3气 休。W此，能提高台阶部分的台阶覆盖性，还能防止通孔、接触孔、 或者通路孔等发生TiN膜的伸出。
然后，将上述第1实施方案的结果与过去的成膜方法(在工艺温度 58CTC F以1次的气体供给堆积到所要求的膜厚)的结果比较来说明。图 3是表示气体供给的循环数和TiN膜的电阻率的关系的曲线图，图4 是表示晶片温度和TiN膜中的氯浓度的关系的曲线图。
首先，图3表示所形成的TiN膜整体的平均厚度大致为30nm时、 TiN膜电阻率对于气体供给的循环数的依赖性。在此，例如以16次的 循环数堆积30nm厚的膜的场合，控制各气体流量等，使得每个循环堆 积1.9nm左右的厚度的膜。
由图3明确知道，在工艺温度设定成60(TC的本发明中，无论是用 数个循环形成30nm左右的膜厚，还是用64个循环左右形成30nm左 右的膜厚，两者的电阻率都不怎么变化，均显示出低的值，即良好的 结果。
另外，图4表不TiN膜中的氯浓度对于晶片温度的依赖性。由图4 明确知道，工艺温度越降低，氯浓度越高，不优选(工艺温度越上升， 氯浓度越降低)。可是，本发明方法的场合，在工艺温度50(TC—70(TC 的范围，氯浓度大致为1%或以下。即表明，本发明方法在氯浓度方面 显示出非常良好的结果。再者，在此，循环数是16次，形成了 30nm的厚度的薄膜。
进而，关于以1次气体供给堆积所要求厚度的薄膜的情况(以往方 法)和如本发明那样进行多次气体供给和气体供给停止来堆积所要求厚 度的薄膜的情况，说明膜厚与电阻率(关系到裂纹有无)的关系。
图5是表示上述的膜厚和电阻率的关系的曲线图。再者，作为本
发明方法，在此以气体供给的1个循环形成了 20nm左右的薄膜。工艺 温度都是600。C。 '
由图5的曲线图明确，以往的方法的场合，随着膜厚(TiN膜)增加， 电阻率暂时地降低，但以膜厚55nm左右为底点而转为上升。原因是， 在膜厚为55nm或以上的区域，难积膜发生裂纹，因此电阻率增大.
相对于此，在本发明方法的场合，随着膜厚增大，电阻率顺次地 减少。至少总膜厚达到160nm左右为止电阻率继续减少，即可确认未 发生裂纹。
然后，评价了应力对于膜厚的温度依赖性。说明其评价结果。当 堆积膜发牛裂纹吋，堆积膜的应力急剧地释放(减少)。因此，发生裂纹 与否通过测定应力而可确认。图6是表示应力对于膜厚的温度依赖性 的曲线图。在此给出的是针对500 — 70(TC下的各个工艺温度，以l次 的气体供给堆积TiN膜的情况(以往方法)、和按照本发明方法间歇地反 复供给TiCl4气体和NH3气体来堆积TiN膜的情况。如上述，认为在应 力急剧降低的部分(区域A1)发生了裂纹。
由图6的曲线图明确，在以往方法的场合，随着按50(TC、 600°C 及70(TC的顺序使工艺温度上升，发生裂纹的TiN膜的膜厚按20nm左 右、60nm左右及80nm左右的顺序顺次增加。在此，当工艺温度设定 得高于70(TC时，在制造半导体集成电路的场合，在TiN膜的形成工序 的在先工序中已经形成的各种基底薄膜等会因热而受到坏影响，故不 佳。Sl」，1次的气体供给(l个循环)形成的膜厚的最大值是工艺温度为 70(TC之吋的60nm左右。
相对—r此，在本发明方法的场合，在500 —70(TC的范围，应力高 高地维持，毫不发生裂纹。即，可确认根据本发明方法得到良好的结 果。顺便说明一下，在本发明方法的场合，对于1次的TiCU气体的供 给堆积的膜厚，工艺温度为50(TC时是10nm左右或以下，工艺温度为60(TC时是40nm左右或以下，工艺温度为70(rC时是60nm左右或以下。
根据此结果，例如在工艺温度70(TC下为了形成180nm厚的TiN 膜，将成膜厚60nm的成膜工序重复进行3个循环即可。另外，关于以 1次的气体供给(l个循环)形成的膜厚的最小值，虽膜厚越薄随之裂纹 也越难发生，但考虑生产量，优选是30nm左右或以上。
然后，说明上述第1实施方案的第1变形例。
图7是表示第1实施方案的第1变形例中的各种气体的供给时机 的图。关于与图2显示的相同的气体省略说明.
本变形例的特征是，在上述第1实施方案的气体供给方式之外， 还流通第2含氮还原气体、例如单甲基肼(以下也称为MMH)(参照图 7(D))，并采用热CVD堆积TiN膜。
艮IJ，在金属源气体TiCl4气体的间歇期间Tl中，在供给含氮还原 气体NH3气体时，与该含氮还原气体的供给同时地供给还原力比该含 氮还原气体强的第2含氮还原气体MMH气体。
作为第2含氮还原气体，通过使用如MMH那样还原力比NH3气 休强的气体，能够提高在供给该气体时的氮化力。据此，能够进一步 减少氯浓度，形成更完全的TiN膜。
然后，说明上述第1实施方案的第2变形例。
图8是表示第1实施方案的第2变形例中的各种气体的供给时机 及等离子体发生的时机的图。关于与图2显示的相同的气体省略说明。
本变形例的特征是，在第1实施方案的气体供给方式之外，加入 等离子辅助气体、例如Ar气体(参照图8(D))，使发生等离子体，并且 根据需要在此时加入还原气体，例如H2气体(参照图8(F))，通过等离 子体CVD堆积TiN膜。
艮P，在金属源气体TiCl4气体的间歇期间中，在供给含氮还原气体 NH3气体时，与该含氮还原气体的供给同时地供给等离子辅助气体Ar 气体，使发生等离子体。此情况下，只在进行NH3流通时流通Ar气体， 同时向上部电极16施加高频电压，使产生等离子体。据此，进一步提 高对TiN膜的氮化力，能够形成氯浓度更少的更完全的TiN膜。高频 i匕压的外加也可以对上部电极16和下部电极40两者进行。
另外，使发生等离子体吋，如图8(F)所示，如果作为还原气体例如流通H2气体，则能进一步提高氮化力。. 然后，说明本发明方法的第2实施方案。
图9是表示本发明的第2实施方案中的各种气体的供给时机的图。
在此，连续地供给惰性气体和含氮还原气体，另一方面，间歇地
供给金属源气体。即，连续地供给惰性气体N2气体和含氮还原气体 NH3气体，另一方面，在时间上脉冲状地间歇地供给金属源气体TiCl4 气体。据此，通过热CVD堆积TiN膜。因此，顺次地重复进行沉积一 NH3流通(氮化)(一沉积一NH3流通一(氮化))...这一工序的循环。图9 的场合，TiCl4气体的供给期间T2和间歇期间Tl设定成大致相同的时 长。另外，1个循环的时长例如是30秒左右。
在本实施方案的场合，也通过间歇地流通成膜气体，经多次间歇 地顺次堆积微薄的薄膜，尽管比较高温的工艺温度也能将TiN膜中所 含的氯浓度抑制得低。而且，能够制成电阻率也小、还抑制了裂纹发 生的TiN膜。
另外，在该第2实施方案的场合，供给TiCU气体的沉积工序和 NH3流通的氮化工序连续(邻接)，即与图2所示的第1实施方案的场合 不同，未设置N2吹扫工序。因此，在TiCU气体的供给开始时及供给 停止时，相比-丁-连续供给的NH3气体的浓度(分压)，TiCl4气体的浓度(分 压)极端地小的状态可暂时地发生。这呈现稍使台阶覆盖性劣化的作用。 可是，省略了 N2吹扫在第2实施方案中可提高生产量。
然后，说明上述第2实施方案的第1变形例。
图10是表示第2实施方案的第1变形例中的各种气体的供给时机 的图。关于与图9显示的相同的气体省略说明。
本变形例的特征是，在上述第2实施方案的气体供给方式之外， 还流通第2含氮还原气体、例如单甲基肼(参照图IO(D))，并采用热CVD 堆积TiN膜。
即，在金属源气体TiCU气体的间歇期间，在比该间歇期间短的期 间T4中供给还原力比含氮还原气体NH3气体强的第2含氮还原气体 MMH气体。
作为第2含氮还原气体，通过使用如MMH那样还原力比NH3气 体强的气体，能够提高在供给该气体时的氮化力。据此，能够进一步减少氯浓度，形成更完全的TiN膜。
另外，在此，MMH的供给期间T4设定在TiCU气体的间歇期间 Tl的大致中间。另夕卜，TiCU气体的供给时机和MMH气体的供给时机 相互错开，不会同时供给两气体。因此，也不产生还原力过度变大使 台阶覆盖性劣化的可能性。
然后，说明上述第2实施方案的第2变形例。
图11是表示第2实施方案的第2变形例中的各种气体的供给时机 及等离子体发生的时机的图。关于与图9显示的相同的气体省略说明。
本变形例的特征是，在上述第2实施方案的气体供给方式之外， 加入等离子辅助气体、例如Ar气体(参照图ll(D))，使发生等离子体， 并且根据需要在此时加入还原气体、例如H2气体(参照图ll(F))，通过 等离子体CVD堆积TiN膜。 '
即，在金属源气体TiCl4气体的间歇期间，在比该间歇期间短的期 间T5供给等离子辅助气体Ar气体使发生等离子体。另外，在此，Ar 气体的供给期间T5设定在TiCl4.气体的间歇期间Tl的大致中间。并且， 在流通Ar气体的同吋向上部电极16外加高频电压，使发生等离子体。 据此，进一步提高对TiN膜的氮化力，能够形成氯浓度更少的更完全 的TiN膜。另外，使发生等离子体时，如图11(F)所示，如果作为还原 气体例如流通H2气体，则能进一步提高氮化力。
再者，该情况下高频电压也可以外加在上部电极16和下部电极40 两者上。
然后，说明本发明方法的第3实施方案。
图12是表示本发明第3实施方案中的各种气体的供给时机的图。 在此，连续地供给惰性气体，另一方面，间歇地供给金属源气体， 含氮还原气体在金属源气体的供给期间T2中，在比该供给期间T2短 的期间T6供给，同时在金属源气体的间歇期间Tl中也在比该间歇期 间T1短的期间T3供给。
艮口，连续地供给惰性气体N2气体，另一方面，在时间上脉冲状地 间歇地供给金属源气体TiCU气体。而且，含氮还原气体NH3气体在 TiCU气体的供给期间T2及间歇期间Tl中，分别在比这些期间短的期 间T6、 T3中在时间上脉冲状地间歇地被供给。即，在沉积工序的前后，
21设置TiCU气体的先流通期间和后流通期间。据此，TiCU气体的流量稳 定化，通过热CVD堆积TiN膜。因此，顺次地重复进行先TiCU流通 —沉积—后TiCU流通一N2吹扫一NH3流通(氮化)一N2吹扫(一先TiCl4 流通一沉积一后TiCU流通一N2吹扫)…这一工序的循环。图12的场合， TiCU气体供给时(供给期间T2)的NH3气体的供给期间T6设定在供给 期间T2的大致中间，另夕卜，TiCU气体间歇时(间歇期间Tl)的NH3气 体的供给期间T3设定在间歇期间Tl的大致中间。另外，1个循环的 吋长例如是15 — 70秒左右。
在本实施方案的场合，也通过间歇地流通成膜气体，经多次间歇 地顺次堆积微薄的薄膜，尽管比较高温的工艺温度也能将TiN膜中所 含的氯浓度抑制得低。而且，能够制成电阻率也小、还抑制了裂纹发 生的TiN膜。
而且，在该第3实施方案的场合，在沉积工序的前后，设置TiCU 气体的先流通工序和后流通工序，TiCU气体的流量被稳定化，另外， 在NH3流通(氮化)工序的前后设置Nb吹扫工序，完全排除多余的气体， 因此能够进一步提高台阶覆盖性。
该情况下，可以如图13所示的第3实施方案(i)所示，使在TiCU 气体(金属源气体)的供给期间供给的NH3气体(含氮还原气体)的供给的 开始时期和TiCU气体的供给的开始时期变得相同，也可以如图14所 示的第3实施方案(ii)所示，使在TiCU气体(金属源气体)的供给期间供 给的NH3气体(含氮还原气体)的供给的停止对期和TiCl/气体的供给的 停止时期变得相同。 '
然后，说明上述第3实施方案的第1变形例。
图15是表示第3实施方案(包括(i)、 (ii))的第1变形例中的各种气 体的供给时机的图。关于与图12显示的相同的气体省略说明。另外， 在图15中，以图12中显示的时机为基础记载了气体的供给时机。
本变形例的特征是，在上述第3实施方案的气体供给方式之外， 还流通第2含氮还原气体、例如单甲基肼(参照图15(D)),并采用热CVD 堆积TiN膜。 ，
艮P，在金属源气体TiCU气体的间歇期间Tl中，在供给含氮还原 气体NH3气体时，与该含氮还原气体的供给同时地供给还原力比该含氮还原气体强的第2含氮还原气体MMH气体。
作为第2含氮还原气体，通过使用如MMH那样还原力比NH3气
体强的气体，能够提高在供给该气体时的氮化力。据此，能够进一步
减少氯浓度，形成更完全的TiN膜。
然后，说明上述第3实施方案(包括(i)、 (ii))的第2变形例。
图16是表示第3实施方案的第2变形例中的各种气体的供给时机
及等离子体发生的时机的图。关于与图12显示的相同的气体省略说明。
另外，在图16中，以图12中显示的时机为基础记载了气体的供给时
本变形例的特征是，在第3实施方案的气体供给方式之外，加入 等离子辅助气体、例如Ar气体(参照图16(D))，使发生等离子体，并且 根据需要在此吋加入还原气体、例如H2气体(参照图16(F))，通过等离 子休CVD堆积TiN膜u
即，在金属源气体TiCl4气体的间歇期间Tl中，在供给含氮还原 气体时，与该含氮还原气体的供给同时地供给等离子辅助气体Ar气体， 使发生等离子体。该情况下，只在进行NH3流通时使Ar气体流通，同 时向上部电极16外加高频电压，使产生等离子体。据此，进一步提高 对TiN膜的氮化力，能够形成氯浓度更少的更完全的TiN膜。另外， 使发生等离子体时，如图16(F)所示，作为还原气体例如流通H2气体， 则能够进一步提高氮化力。，
再者，该场合下，高频电压也可以外加在上部电极16和下部电极 40两者上。
然后，说明本发明的第4实施方案.
图17是表示本发明第4实施方案中的各种气体的供给时机的图。 在此，连续地供给惰性气体，另一方面，间歇地供给金属源气体， 与金属源气体的供给同时地供给含氮还原气体，与此同时，在金属源 气体的间歇期间中在比该间歇期间短的期间供给第2含氮还原气体， 据此，采用热CVD堆积TiN膜。
艮l]，连续地供给惰性气体N2气体，另一方面，同时地、即在时间 上脉冲状地间歇地同期供给含氮还原气体NH3气体和金属源气体TiCU 气体。而且，在TiCU气体的间歇期间中以短的期间，供给还原力比NH3气体强的第2含氮还原气体MMH，据此采用热CVD堆积TiN膜。 即，在供给MMH时，TiN膜被氮化(进行氯的还原)。
该第4实施方案是对应于在图7所示的第1实施方案的第1变形 例中删除了 NH/气体的供给期间T3的情况的气体供给方式。因此，图 7中的供给期间T3对应于图17中的MMH气体的供给期间T8。据此， 顺次地重复进行沉积一N2吹扫一MMH流通(氮化)一N2吹扫(一沉积一 N2吹扫一MMH流通(氮化))...这一工序的循环。
在本实施方案的场合，也通过间歇地流通成膜气体，经多次间歇 地顺序堆积微薄的薄膜，尽管比较高温的工艺温度也能将TiN膜中所 含的氯浓度抑制得低。而且，能够制成电阻率也小、还抑制了裂纹发 生的TiN膜。
另外，在此的1个循环的时间例如是10 —60秒左右。 然后说明本发明的第5实施方案。
图18是表示本发明第5实施方案中的各种气体的供给时机及等离 子体发生的吋机的图。
在此，连续地供给惰性气体，另--方面，间歇地供给金属源气体， 与金属源气体的供给同时地供给含氮还原气体，与此同时，在金属源 气体的间歇期间中在比该间歇期间短的期间且与后续的下 一 个金属源 气体的供给期间接续的方式供给等离子辅助气体，以发生等离子体。
艮口，连续地供给惰性气体N2气体，另一方面，在时间上脉冲状地 间歇地同期供给金属源气体TiCU气体和含氮还原气体NH3气体。而且， 在TiCU气体的间歇期间Tl中，也在与后续的下一个TiCU气体的供给 期间T2接续的短的期间T9内加入等离子辅助气体Ar气体(参照图 18(D)),以发生等离子体(参照图18(E))。
另外，根据需要在此时加入还原气体、例如H2气体(参照图18(F))， 采用等离子体CVD堆积TiN膜。因此，顺次地重复进行沉积一N2吹 扫一等离子体氮化(一沉积一N2吹扫一等离子体氮化一)...这一工序的 循环。
本实施方案的场合，在流通Ar气体时对上部电极16外加高频电 压，以发生等离子体。据此，进一步提高对TiN膜的氮化力，能够形 成氯浓度更少的更完全的TiN膜。另外，使发生等离子体时，如图18(F)
24所示，作为还原气体例如流通H2气体，则能够进一步提高氮化力。
再者，该场合下，高频电压也可以外加在上部电极16和下部电极
40两者上。
在本实施方案的场合，也通过间歇地流通成膜气体，经多次间歇
地顺次地堆积微薄的薄膜，尽管比较高温的工艺温度也能将TiN膜中 所含的氯浓度抑制得低。而且，能够制成电阻率也小、还抑制了裂纹 发生的TiN膜。
另外，在本实施方案中，在等离子体氮化的工序(期间T9)中不供 给NH/气体。因此，采用N2吹扫气体进行等离子体氮化，在刚进行了 等离于体氮化的工序之后不需要进行排除NH3气体的N2吹扫工序，可 立即进行沉积工序(期间T2)。因此，该时，能够提高生产量。另外， 本实施方案的1个循环的时间是5 — 60秒左右。
在以上的各实施方案中，作为还原力强的第2含氮还原气体使用 了MMH，但不限定于此，也可以使用肼、二甲基肼等其他的气体。
<在Ti的基底层上形成TiN膜的情况>
在以上的各实施方案及它们的变形例中，关于形成了 TiN膜的基 底层的种类未特别说明。可是，该基底层为Ti膜的场合，在其上形成 的TiN膜非常易剥离。因此，欲经1个循环(包括金属源气体的1次供 给期间)形成的TiN膜的膜厚，比上述的场合(g卩40 — 60nm/个循环) 薄很多。具体而言，必须薄至例如20nm/个循环或以下的范围。
以下说明其原因。在沉积TiN膜时供给的TiCU气体，对Ti虽稍 稍但有侵蚀作用，作为反应副产物形成TiCl"该反应副产物有时未充 分气体化就部分残存在TiN膜表面。该残存的反应副产物易使TiN膜 产生剥离。
为了改善其易剥离性，以往的咸膜方法在采用CVD或PVD(物理 汽相淀积)形成Ti层后，在该Ti层的表面通过使用了 N2或NH3的氮化 处理形成薄的TiN膜，然后，在该薄的TiN膜上厚厚地形成TiN膜。 为此，由于这样的以往方法在中途需要上述的氮化处理，因此工序多。
另一方面，按照本发明方法，如果反复进行各气体的供给和停止， 则残存的反应副产物完全被氮化。因此，TiN膜的剥离难发生。因此， 以往方法必需的氮化处理变得不需要，可删减工序数。具体讲，在Ti层为基底层时为了完全氮化反应副产物，如上述，每1个循环形成的
TiN膜的厚度需要薄到20nm或以下。另外，为防止剥离，每1个循环 的最大膜厚也取决于最终欲形成的TiN膜整体的膜厚。
在此，在由Ti层构成的基底层上按照本发明方法堆积TiN膜时的 每1个循环的膜厚的最大值，用与欲形成的TiN膜整体的膜厚的关系 评价。说明其评价结果。图19是表示TiN膜的整体膜厚与经1个循环 形成的膜厚的关系的表。在此，TiN膜的整体膜厚从10nm变化到 160nm，另 一方面，每1个循环的膜厚从1.25nm变化到80nm。此时的 工艺温度是650r左右。图中，o符号表示没有剥离、良好的情况，x 符号表示发生剥离、变得不良的情况。另外，*符号表示未发生剥离但 薄膜为一层的情况。再者，在所有的堆积膜中，未看到裂纹。
如图19所示可确认，在1个循环的膜厚为5nm或以下的场合，TiN 膜的整体膜厚即使是160nm左右，也不发生剥离，得到良好的结果。 再者，即使TiN膜的整体膜厚大于160nm的场合，也未发生剥离，但
如果TiN膜的整体膜厚大致薄于100nm，则采用1个循环可形成 的膜厚厚到10—20nm。例如整体的膜厚大致为100nm时，采用1个循 环可形成的最大膜厚大致是10nm，整体的膜厚大致为80nm吋，采用 1个循环可形成的最大膜厚大致是20nm。随着TiN膜的整体膜厚变薄， TiN膜的应力逐渐变小，因此认为采用1个循环可形成的最大膜厚逐渐 增加。
如上述，根据图19能够确认即使1个循环的膜厚为20nm左右， 在TiN膜的整体膜厚为40 — 80nm左右时，也不发生剥离。
再者，在上述的各实施方案及它们的变形例中，作为金属氮化膜 形成了TiN膜。可是，不限定于此，在形成WN膜、TaN膜等其他的 金属氮化膜的场合也能够适用本发明方法。
另外，在本发明实施方式中，作为被处理体以半导体晶片为例来 说明了，但不限定于此，在处理LCD衬底、玻璃衬底等的场合也能够 适用本发明。
2权利要求
1. 一种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，该成膜方法具备下述工序向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在上述惰性气体的连续的供给工序中，向上述处理容器内间歇地供给金属源气体的工序；在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供给期间中，在供给上述金属源气体的同时向上述处理容器内供给含氮还原气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容器内供给上述含氮还原气体的工序，其中在上述金属源气体的上述供给期间中供给上述含氮还原气体的期间，与在上述金属源气体的间歇期间中供给上述含氮还原气体的期间不接续。
2. 根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
3. 根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于， 在向上述处理容器内连续地供给上述惰性气体的工序中的成膜温度为500。C 70(TC。
4. 根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的上述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在 供给上述含氮还原气体的同时供给还原力比该含氮还原气体强的第2 含氮还原气体。
5. 根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的上述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在 供给上述含氮还原气体的同时供给等离子辅助气体，以发生等离子体。
6. 根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，在供给上述等离子辅助气体的同时供给还原气体。
7. —种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，该成膜方法具备下述工序 向处理容器内连续地供给惰性气体及含氮还原气体的工序；和 在上述惰性气体及上述含氮还原气体的连续的供给的工序中，向上述处理容器内间歇地供给金属源气体的工序。
8. 根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚足60nm或以下。
9. 根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于， 在向上述处理容器内连续地供给上述惰性气体及上述含氮还原气体的工序中的成膜温度为500°C 700°C。
10. 根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的上述间歇期间11 ，，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容 器内供给还原力比上述含氮还原气体强的第2含氮还原气体。
11. 根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的上述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容 器内供给等离子辅助气体，以发生等离子体。
12. 根据权利要求ll所述的成膜方法，其特征在于， 在供给上述等离子辅助气体的同时供给还原气体。
13. —种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表 而形成念J4氮化膜的方法，其特征在于，该成膜方法具备下述工序向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性气体的连续的供给工序中，向上述处理容器内间歇地 供给金属源气体的工序；在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的上 述供给期间中，在比该金属源气体的供给期间短的期间向上述处理容 器内供给含氮还原气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的间 歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容器内 供给上述含氮还原气体的工序，射在上述金属源气体的上述供给期间中供给上述含氮还原气体的期 间，与在上述金属源气体的间歇期间中供给上述含氮还原气体的期间 不接续。
14. 根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
15. 根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，在向上述处理容器内连续地供给上述惰性气体的工序中的成膜温 度为50(TC 70(TC。
16. 根据权利要求n所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的上述供给期间中，在比该金属源气体的供给期间短的期间向上述处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，上 述含氮还原气体的供给的开始或停止当中的任i个被设定为与上述金属源气体的供给的幵始或停止当中的任1个同时。
17. 根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的上述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容器内供给上述含氮还原气体的工序中，在供给上述含氮还原气体的同时供给还原力比该含氮还原气体强的第2含氮还原气体。
18. 根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于， 在上述金属源气体的上述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容器内供给含氮还原气体的工序中，在供给 上述含氮还原气体的同时供给等离子辅助气体，以发生等离子体。
19. 根据权利要求18所述的成膜方法，其特征在于， 在供给上述等离子辅助气体的同时供给还原气体。
20. —种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表 面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，该成膜方法具备下述工序向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性气体的连续的供给工序中，向上述处理容器内间歇地在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供 给期间屮，在供给上述金属源气体的同时向上述处理容器内供给含氮 还原气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的上 述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向上述处理容 器内供给还原力比上述含氮还原气体强的第2含氮还原气体的工序。
21. 根据权利要求20所述的成膜方法，其特征在于， 其中在上述金属源气体的上述1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
22. 根据权利要求20所述的成膜方法，其特征在于，在向上述处理容器内连续地供给上述惰性气体的工序中的成膜温度为500。C 700。C。
23. —种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理休的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，该成膜方法具备下述工序 向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性气体的连续的供给工序中，向上述处理容器内间歇地 供给金属源气体的工序；在.l:述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供 给期间屮，在供给上述金属源气体的同时向上述处理容器内供给含氮 还原气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给丁序中，在.卜.述金属源气体的上 述间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短且与下一个上述金属 源气体的供给期间接续的期间向上述处理容器内供给等离子辅助气 体，以发生等离子体的工序。
24. 根据权利要求23所述的成膜方法，其特征在于， 其中在上述金属源气体的上述1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
25. 根据权利要求23所述的成膜方法，其特征在于，在向i:述处理容器内连续地供给上述惰性气体的工序中的成膜温 度为500。C 700。C。
26. 根据权利要求23所述的成膜方法，其特征在于， 在供给上述等离子辅助气体的同时供给还原气体。
27. 根据权利要求13所述的成膜方法，其特征在于， 上述金属源气体是TiCU气体，和 上述含氮还原气体是NH3气体。
28. 根据权利要求27所述的成膜方法，其特征在于， 在形成上述金属氮化膜的上述被处理体的上述表面形成Ti层作为基底层，和在上述金属源气体的上述1次供给期间中形成的上述金属氮化膜 的膜厚是20nm或以下。
29. 根据权利耍求13所述的成膜方法，其特征在于，上述惰性气体是N2气体。
30. 根据权利要求13所述的成膜方法，.其特征在于， l:述惰性1休足Ar气体。'
31. 根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，上述第2含氮还原气体是肼、单甲基肼、和二甲基肼当中的任1种。
全文摘要
本发明提供一种成膜方法，在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜，该成膜方法包括向处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序；在金属源气体的间歇的供给工序中，在金属源气体的供给期间中，在供给金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体的工序；和在金属源气体的间歇的供给工序中，在金属源气体的间歇期间中，在比该金属源气体的间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序，其中在金属源气体的供给期间中供给含氮还原气体的期间，与在金属源气体的间歇期间中供给含氮还原气体的期间不接续。
文档编号H01L21/70GK101469413SQ200910000288
公开日2009年7月1日 申请日期2004年2月12日 优先权日2003年2月20日
发明者长谷川敏夫 申请人:东京毅力科创株式会社