技术编号:6926360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法,更具体涉及具有垂直沟道的半导 体器件及其制造方法。背景技术半导体器件中的沟道包括凹陷状、灯泡状和鳍状沟道以扩展沟道的尺 寸或长度。然而,虽然这样的半导体器件可具有足够的沟道长度或其它尺 寸,但是必须形成复杂图案和必须考虑单元效率。更具体地,在具有沿垂直方向延伸的沟道以及在柱状物图案上部和下 部形成的源极区和漏极区的半导体器件中,柱状物图案可能会坍塌并随后 导致柱状物图案的倾斜。图1A、 1B、 1C和1D说明具有垂直沟道的常...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。