技术编号:6926821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在一个实施例中,本发明涉及半导体结构和器件。 背景技术随着晶体管的特征尺寸按比例缩减,不仅电极(源极、漏极和 栅极)的尺寸变得更小,而且电极之间的距离变得更小。相邻电极 的紧密邻近增加了在操作过程中电极之间的电场。对于整体集成电 路性能,希望使寄生电容最小化,而同时使驱动电流最大化却不增 加器件的关断状态漏电流。栅极结构的高度导致在栅极与源极和漏极(S/D)接触结构之间 的寄生电容以及与栅极和S/D接触结构重叠的延伸掺杂区域。栅极 高度的减少使栅极线与源极...
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