技术编号:6926878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体晶片等被处理基板上形成硅氮化膜的半导体处理用的成膜方法和装置。在此,所谓半导体处理,是指在晶片、LCD (Liquid Crystal Display液晶显示器)这样的FPD (Flat Panel Display平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定的图案形成半导体 层、绝缘层、导电层等,从而在该被处理基板上制造半导体器件、和 包括与半导体器件连接的配线、电极等的结构物而实施的各种处理。背景技术在构成半导体集成电路的半导体器件的制...
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