技术编号：6926912
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要是关于结型场效应晶体管(JFET)的结构和制造工艺。尤其是本发明是关于应用于低电压、高电流密度高频的常开或者常闭的低导通电阻结型场效应晶体管(JFET)的一个新型器件结构和制造工艺。背景技术 半导体工艺正面临为满足为3伏以下电源管理提供合适的晶体管的日益增长的需求的巨大挑战。随着集成电路(ICs)的特征尺寸日益减小，电子设备日益小型化，提供给这些设备的电源的电压不断下降。在电流密度不变的情况下，电压从5伏降到3伏带来功率下降9/25。1.8伏时，...
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