技术编号:6927257
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法,更具体来说,涉及使用了沟槽具有宽栅极宽度的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。 背景技术MOS晶体管是在电子技术核心的电子器件,因此,MOS晶体管 的规模缩小和驱动性能增强是重要课题。作为增强MOS晶体管的驱 动性能的方法,提供了涉及使栅极宽度更长、由此降低导通电阻的方 法。但是,在使栅极宽度更长时,产生了 MOS晶体管的占用面积变 得更大的问题。JP 2006-294645 A提出一种技术,其中,使栅极宽度更长,...
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