技术编号:6927402
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及低带隙(band gap)半导体氧化物例如二氧化 钛以及其制造方法。还公开了使用该低带隙氧化物的染料敏化太阳能电 池。背景技术已经进行了一些尝试来通过用过渡金属掺杂以降低TiCb的 带隙,但是并没有报道有明显的带隙的变化。大部分的金属掺杂的Ti02 在可见光区域进行吸收。在金属掺杂的Ti02的情况中,可见光谱的成因 是由于在Ti02带隙中形成的掺杂剂能级而引起的。从价带到掺杂剂能级 的跃迁或者从该掺杂剂能级到导带的跃迁可以有效的红移带边吸收阈...
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