技术编号：6928727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导材料生长领域，尤其涉及一种用于氮化物外延生长的纳米 级图形化衬底的制备方法。 背景技术以III-V族氮化镓(GaN)材料为代表的氮化物化合物半导体材料广泛应用 于紫外光、蓝光、绿光和白光发光二极管，紫光激光器，紫外光探测器，以及 高功率高频电子器件。由于缺乏合适的衬底材料，目前高质量的GaN基材料外 延都是生长在蓝宝石、SiC以及Si等异质衬底上。但是，异质衬底和GaN基材 料之间存在较大的晶格失配和热膨胀系数失配。这些将造成在利用金属有机物...
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