技术编号:6928766
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高频电路采用的化合物半导体的,尤其涉及可形成再现性好的肖特基结的化合物半导体的。背景技术 由于世界移动电话市场的扩大,数字卫星发送接收机的需要高涨,随之高频设备的需要急速增长。作为其元件为处理高频经常使用使用了砷化镓(GaAs)的场效应晶体管,随之不断开发使所述开关电路自身集成化的单片微波集成电路(MMIC)和本机振荡用FET。GaAs肖特基势垒二极管也因用于基站等而提高了用量。图6表示现有肖特基势垒二极管的动作区域部分的剖面图。在n+型GaAs...
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