技术编号:6928922
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及用于栅氧化层失效分析的测试结构 及栅氧化层失效分析方法。 背景技术随着集成电路的尺寸越来越小,半导体器件的栅氧化层的品质以及可靠性变的越 来越重要。但是,由于半导体器件尺寸的减小,如何定位栅氧化层上存在的微小缺陷并理解 其失效机理变的越来越困难。目前,集成电路制造领域主要采用发光显微镜(Photo EmissionMicroscopy,PEM) 来定位半导体器件的失效点。对半导体器件的栅氧化层施加偏置电压,当半导体器...
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