技术编号:6928964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造,特别涉及一种制造分离栅级存储器浮 栅(Floating Gate, FG)的方法。背景技术随着闪存(flash memory)的尺寸不断缩小,自对准工艺 (Self-aligned-Process, SAP)由于可以实现浮栅与浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)之间良好的自对准性能,因此被广泛应用于闪存的存储单元制造过程中。图1示出了现有技术的70纳米分离栅级(Split-Gate)存储器存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。