技术编号:6928977
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及栅极及M0S晶体管的制作方法。 背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的 数据存储量以及更多的功能,集成电路晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向发展,半导 体器件的栅极尺寸变得越来越细且长度变得较以往更短。在现有技术中,M0S晶体管的栅极的形成以图案化光刻胶层为掩膜,采用干法蚀刻 法刻蚀栅介电层上的腐蚀阻挡层和多晶硅层,形成栅极。具体工艺参考图1至图5,如图1 所示,在半导体衬底1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。