技术编号:6929126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作工艺,更具体地说,涉及一种0. 5微米垂直JFET工艺。 背景技术传统的垂直JFET器件的制造是通过注入杂质并在高温下推进以达到需要的纵向 深度来形成,但在达到纵向深度的同时横向扩散占据了宝贵的面积,导致器件尺寸大,芯片 集成度低,器件性能差,击穿电压低发明内容 本发明提出一种通过采用开槽并填充相反掺杂类型的多晶硅或外延的方法,从而 大大减小横向扩散的情况。根据本发明的,提出一种0. 5微米垂直JFET工艺,在衬底上生长外延层后,在需要...
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