技术编号:6929477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法及其器件,具体地说,涉及一种NROM的制造方法 及其器件。背景技术NROM(氮化物只读存储器)是一种非易失性只读存储器,它使用ONO(底层氧化 层-氮化硅层_顶层氧化层)绝缘层中的氮化硅层作为存储单元,利用其固有的物理性质, 每个存储单元含有两个位(Bit)来存储信息,相比其他非挥发半导体存储器件,具有更高 的存储密度,而且由于其存储的电荷比较少,因而具有有较高的编程和擦除速度。请参阅图1,图1为现有技术中的NROM示意图。现有...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。