技术编号：6929935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术，特别涉及一种。 背景技术半导体器件制作是指在硅片上执行一系列复杂的化学或物理操作。以互补金属氧 化物半导体(CMOS)的制作工艺为例，如图1所示，主要包括步骤11 在硅片的半导体衬底上形成N阱、P阱以及浅沟槽隔离区(STI)。现有CMOS制作工艺中，第一步是采用双阱工艺来定义N型金属氧化物半导体 (NMOS)管和P型金属氧化物半导体(PMOS)管的有源区，从而得到N阱和P阱。然后，通过 光刻以及刻蚀等工艺，在半导体衬底上形成STI。步...
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