技术编号:6930070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造中大马士革结构的工艺集成方法,尤其涉及一种无介质 膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法。背景技术如图1所示,现有的先通孔后线槽方法制造大马士革结构的工艺流程一般包括如 下步骤(1)在衬底1上依次沉积底部刻蚀停止层2、第一层介质膜3、中间刻蚀停止层4和 第二层介质膜5 ;然后光刻形成通孔图形,在第二层介质膜5上形成抗反射层6和光刻胶7, 见图IA ;(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层2上,见图IB ;(3)填充材料9填充通孔,见图IC ;...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。