专利名称：无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造中大马士革结构的工艺集成方法，尤其涉及一种无介质 膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法。
背景技术：
如图1所示，现有的先通孔后线槽方法制造大马士革结构的工艺流程一般包括如 下步骤(1)在衬底1上依次沉积底部刻蚀停止层2、第一层介质膜3、中间刻蚀停止层4和 第二层介质膜5 ；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜5上形成抗反射层6和光刻胶7， 见图IA ；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层2上，见图IB ；(3)填充材料9填充通孔，见图IC ；(4)填充材料9回刻，见图ID ；(5)光刻涂胶、曝光、显影形成线槽图形，见图IE ；(6)光刻胶7涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽，见图IE ；(7)线槽刻蚀，停在中间刻蚀停止层4上，出现介质膜栅栏8残留，见图1F;(8)光刻胶7和填充材料9去除，见图IG ； (9)去除通孔中的底部刻蚀停止层2，去除抗反射层6和部分中间刻蚀停止层4，见 图1H。这种方法经常遇到介质膜栅栏残留的问题，如图IH所示。这种栅栏残留会影响后 续的金属沉积，影响连线电阻，影响器件的可靠性，在大马士革工艺中是不允许存在的。造 成这种残留的原因是一般情况下填充材料的刻蚀速率都比介质膜慢，而且线槽光刻后通孔 内会有光刻胶残留，光刻胶的刻蚀速率也比介质膜慢，这样刻蚀过程就会容易导致填充塞 比介质膜高，聚合物容易堆积在填充塞侧壁造成介质膜刻不下去。通常是通过提高填充材 料和介质膜的刻蚀速率比以及降低回刻后的填充材料高度，使得刻蚀过程填充塞在刻蚀过 程一直比介质膜低，这样就不会出现介质膜栅栏残留问题。这种方法对填充材料涂布均勻 性，填充材料回刻的速率均勻性，介质膜刻蚀的速率均勻性要求很高，工艺难度较大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集 成方法，采用该方法能增大工艺窗口，降低成本。为解决上述技术问题，本发明提供一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集 成方法，包含如下步骤(1)在衬底上依次沉积底部刻蚀停止层、第一层介质膜、中间刻蚀停止层和第二层 介质膜；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜上形成抗反射层和光刻胶；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层上；
(3)光刻形成线槽图形；(4)第一次线槽刻蚀，刻掉抗反射层和部分第二层介质膜；(5)光刻胶去除；(6)光刻胶涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽；(7)光刻胶回刻到中间刻蚀停止层以下；(8)第二次线槽刻蚀，刻掉剩余的第二层介质膜，停在中间刻蚀停止层上，去除光 刻胶；(9)去除通孔中的底部刻蚀停止层，去除抗反射层和部分中间刻蚀停止层，形成大 马士革结构。步骤(2)的通孔刻蚀需要分三步第一步为第二层介质膜刻蚀，停在中间刻蚀停 止层上；第二步为中间刻蚀停止层刻蚀；第三步为第一层介质膜刻蚀，停在底部刻蚀停止层上。所述第一步和第三步刻蚀具有氧化膜对氮化膜的高选择比。步骤(3)中在线槽光刻时直接涂布光刻胶并填满通孔，在曝光显影后通孔内有光 刻胶残留。所述的光刻胶要具有良好的填孔能力。步骤(4)中第一次线槽刻蚀是部分刻蚀，需要刻掉抗反射层和部分第二层介质 膜，刻蚀深度可以根据线槽光刻时通孔内残留的光刻胶高度进行调整。在步骤(5)光刻胶去除后可能会有介质膜栅栏残留，此介质膜栅栏残留会在后续 的第二次线槽刻蚀中去掉，并且不会影响工艺窗口。在步骤(8)第二次线槽刻蚀时通孔底部有光刻胶保护，以避免底部刻蚀停止层被 刻穿。步骤(7)所述的光刻胶回刻，需要刻到中间刻蚀停止层以下，这样才能有效防止 第二次线槽刻蚀时介质膜栅栏残留的发生。步骤(8)的第二次线槽刻蚀是一种氧化膜对氮化膜高选择比的工艺，刻蚀停在中 间刻蚀停止层上。步骤(9)所述的去除通孔中的底部刻蚀停止层是一种氮化膜对氧化膜高选择比 的刻蚀工艺，并且是一种软刻蚀，以降低对前层连线金属的损伤。步骤(1)中所述的底部刻蚀停止层是氮化膜，该氮化膜是氮化硅或氮氧化硅；所 述第一层介质膜是氧化膜；所述中间刻蚀停止层是氮化膜，该氮化膜是氮化硅或氮氧化硅； 所述第二层介质膜是氧化膜。和现有技术相比，本发明具有以下有益效果采用本发明方法形成的大马士革结 构没有介质膜栅栏残留风险，工艺窗口较大并且不需要昂贵的填充材料，成本较低。
图1是现有的有介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法的工艺流程图；图2是本发明无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法的工艺流程图。其中，1是衬底，2是底部刻蚀停止层(氮化膜，可以是氮化硅或氮氧化硅)，3是第 一层介质膜(氧化膜)，4是中间刻蚀停止层(氮化膜，可以是氮化硅或氮氧化硅)，5是第二层介质膜(氧化膜)，6是抗反射层(氮化膜，可以是氮氧化硅)，7是光刻胶，8是介质膜 栅栏。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。本发明无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法的具体解决方案是将线 槽刻蚀分成两步。第一步是部分刻蚀打开抗反射层氮化膜，第二步利用氮化膜做刻蚀阻挡 掩膜，利用氧化膜对氮化膜高选择比的刻蚀工艺刻掉剩余介质膜停在中间刻蚀停止层上， 并且用光刻胶做通孔填充回刻来保护通孔底部。本发明具体包含如下所表示的工艺流程步骤(1)在衬底1上依次沉积底部刻蚀停止层2，第一层介质膜3，中间刻蚀停止层4， 第二层介质膜5 ；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜5上形成抗反射层6和光刻胶7， 见图2A。(2)通孔刻蚀并去除光刻胶7，通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层2上，氮化硅损失越 少越好，见图2B。通孔刻蚀需要分三步第一步为第二层介质膜5刻蚀，停在中间刻蚀停止 层4上；第二步为中间刻蚀停止层4刻蚀；第三步为第一层介质膜3刻蚀，停在底部刻蚀停 止层2上。通孔刻蚀方法中第一步和第三步刻蚀具有氧化膜对氮化膜的高选择比。(3)光刻形成线槽图形，在线槽光刻时直接涂布光刻胶7并填满通孔，在曝光显影 后通孔内有光刻胶7残留，如图2C所示。光刻胶7要具有良好的填孔能力。(4)第一次线槽刻蚀，刻蚀掉抗反射层6和部分第二层介质膜5，见图2D ；第一次 线槽刻蚀是部分刻蚀，需要刻蚀掉抗反射层6和部分第二层介质膜5，刻蚀深度可以根据线 槽光刻时通孔内残留的光刻胶高度进行调整。(5)光刻胶7去除，在步骤5光刻胶7去除后可能会有介质膜栅栏8残留，如图2E 所示。但此介质膜栅栏8残留会在后续的第二次线槽刻蚀中去掉，并且不会影响工艺窗口。(6)光刻胶7涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽，见图2F。(7)光刻胶7回刻到中间刻蚀停止层4以下，如图2G所示；所述的光刻胶7回刻， 需要刻到中间刻蚀停止层4以下，这样才能有效防止第二次线槽刻蚀时介质膜栅栏8残留 的发生。(8)第二次线槽刻蚀，刻蚀掉剩余的第二层介质膜5，停在中间刻蚀停止层4上，并 去除光刻胶7，见图2H。在第二次线槽刻蚀时通孔底部有光刻胶7保护，如图6，7所示。因 为底部刻蚀停止层2不能被刻穿，否则前层连线金属会受到等离子体损伤影响电参数。第 二次线槽刻蚀是一种氧化膜对氮化膜高选择比的工艺，刻蚀停在中间刻蚀停止层4上。(9)去除通孔中的底部刻蚀停止层2，去除抗反射层6和部分中间刻蚀停止层4，形 成大马士革结构，见图21 ；该步骤中的底部刻蚀停止层2去除是一种氮化膜对氧化膜高选 择比的刻蚀工艺，并且是一种软刻蚀，降低对前层连线金属的损伤。
权利要求
一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征是，包含如下步骤(1)在衬底上依次沉积底部刻蚀停止层、第一层介质膜、中间刻蚀停止层和第二层介质膜；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜上形成抗反射层和光刻胶；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层上；(3)光刻形成线槽图形；(4)第一次线槽刻蚀，刻掉抗反射层和部分第二层介质膜；(5)光刻胶去除；(6)光刻胶涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽；(7)光刻胶回刻到中间刻蚀停止层以下；(8)第二次线槽刻蚀，刻掉剩余的第二层介质膜，停在中间刻蚀停止层上，去除光刻胶；(9)去除通孔中的底部刻蚀停止层，去除抗反射层和部分中间刻蚀停止层，形成大马士革结构。
2.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(2)的通孔刻蚀需要分三步第一步为第二层介质膜刻蚀，停在中间刻蚀停止层 上；第二步为中间刻蚀停止层刻蚀；第三步为第一层介质膜刻蚀，停在底部刻蚀停止层上。
3.根据权利要求2所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，所述第一步和第三步刻蚀具有氧化膜对氮化膜的高选择比。
4.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(3)中在线槽光刻时直接涂布光刻胶并填满通孔，在曝光显影后通孔内有光刻胶 残留。
5.根据权利要求4所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，所述的光刻胶要具有良好的填孔能力。
6.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(4)中第一次线槽刻蚀是部分刻蚀，需要刻掉抗反射层和部分第二层介质膜，刻蚀 深度可以根据线槽光刻时通孔内残留的光刻胶高度进行调整。
7.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，在步骤(5)光刻胶去除后可能会有介质膜栅栏残留，此介质膜栅栏残留会在后续的第 二次线槽刻蚀中去掉，并且不会影响工艺窗口。
8.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，在步骤(8)第二次线槽刻蚀时通孔底部有光刻胶保护，以避免底部刻蚀停止层被刻穿。
9.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(7)所述的光刻胶回刻，需要刻到中间刻蚀停止层以下，这样才能有效防止第二次 线槽刻蚀时介质膜栅栏残留的发生。
10.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(8)的第二次线槽刻蚀是一种氧化膜对氮化膜高选择比的工艺，刻蚀停在中间刻 蚀停止层上。
11.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(9)所述的去除通孔中的底部刻蚀停止层是一种氮化膜对氧化膜高选择比的刻蚀2工艺，并且是一种软刻蚀，以降低对前层连线金属的损伤。
12.根据权利要求1所述的无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，其特征 是，步骤(1)中所述的底部刻蚀停止层是氮化膜，该氮化膜是氮化硅或氮氧化硅；所述第一 层介质膜是氧化膜；所述中间刻蚀停止层是氮化膜，该氮化膜是氮化硅或氮氧化硅；所述 第二层介质膜是氧化膜。
全文摘要
本发明公开了一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，包含如下步骤(1)在衬底上依次沉积底部刻蚀停止层、第一层介质膜、中间刻蚀停止层和第二层介质膜；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜上形成抗反射层和光刻胶；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层上；(3)光刻形成线槽图形；(4)第一次线槽刻蚀，刻掉抗反射层和部分第二层介质膜；(5)光刻胶去除；(6)光刻胶涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽；(7)光刻胶回刻到中间刻蚀停止层以下；(8)第二次线槽刻蚀，刻掉剩余的第二层介质膜，停在中间刻蚀停止层上，去除光刻胶；(9)通孔中的底部刻蚀停止层去除。本发明没有介质膜栅栏残留风险，且工艺窗口较大。
文档编号H01L21/768GK101937869SQ20091005752
公开日2011年1月5日 申请日期2009年6月30日 优先权日2009年6月30日
发明者曾林华 申请人:上海华虹Nec电子有限公司