技术编号:6930753
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种后浅槽隔离(post shallow trench isolation,post-STI)工艺方法,先形成元件,再形成绝缘沟槽区域,尤其涉及一种避免浅槽边角区域产生凹隐的后浅槽隔离工艺方法。背景技术 在半导体工艺中,为了使芯片上各个电子元件之间拥有良好的隔离,以避免元件相互干扰而产生短路现象,一般皆采用局部氧化法(localizedoxidation isolation,LOCOS)或是浅槽隔离方法来进行隔离与保护。由于LOCOS工艺中产生的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。