技术编号:6931675
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,且特别是有关于一种可以改善器件可信度的。附图说明图1所示,其绘示为公知一种半导体器件的结构剖面示意图。请参照图1,公知半导体器件包括一基底100、一栅氧化层102、一栅极104以及一源极/漏极106。其中,栅氧化层102配置在部分基底100的表面上,栅极104配置在栅氧化层102上,而源极/漏极106配置在栅极104两侧的基底100中。当器件的尺寸随着集成电路集成度的提高而逐渐缩小之后,半导体器件的源极/漏极的尺寸也必须随之缩小。然而,...
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