技术编号:6932610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用处理气体的等离子体对单晶硅层进行蚀刻的等离 子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置以及计算机存储介质。背景技术在现有技术中,在半导体装置的制造工序中,如下进行等离子体 蚀刻,即,以光致抗蚀剂等作为掩模,利用处理气体的等离子体,对 构成作为被处理基板的硅晶片的单晶硅等进行蚀刻。在上述的单晶硅的等离子体蚀刻中,公知有使用SF6气体和02气 体的混合气体作为处理气体。然而,在使用SF6气体和02气体的混合 气体作为处理气体的单晶硅的等离子体蚀刻中,由于各向...
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