技术编号:6932714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件和制造半导体器件、如金属氧化物半导体(MOS)晶体管的方法。 背景技术通过充分使用微细加工技术,随时间推移,就能够在实现缩小规 模的同时制造半导体器件,而没有降低其性能。这种趋势也存在于具 有高驱动性能的半导体元件中,因此通过充分使用微细加工技术来寻 求每单位面积的导通电阻的降低。但是,实际上,微细加工技术导致 的元件的小型化所引起的耐受电压的下降阻碍了驱动性能的进一步 增强。为了解决小型化与耐受电压之间的折衷,已经提出具有各种结 构的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。