技术编号：6932761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到集成电路制造。 背景技术在半导体技术中，穿透硅通孔(TSV)是形成在半导体衬底(芯片或管 芯)中的导电构形。TSV构形垂直穿透该半导体衬底，提供堆栈的芯片/ 管芯的封装方法。TSV也指3-D封装技术。然而，现有方案由于后TSV (post-TSV)面对的高CBD接触电阻，在芯片电性测试(WAT)特性和铜 焊,#、粘接期间导致质量和可靠性问题，并且不能够满足客户的需求。发明内容本发明提供一种集成电路。该集成电路包括形成在半导体衬底中的穿 透硅通孔...
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