技术编号:6933094
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别是对于具有电容元件的半导体 器件有效的技术。背景技术在半导体衬底上形成M I S F E T或电容等,通过在各元件间布 线连接而制造各种半导体器件。形成于半导体衬底上的电容有MO S 型电容元4牛、P I P ( Polysilicon Insulator Polysilicon )型电容元^f牛或 M I M ( Metal Insulator Metal)型电容元件等。日本公开特许公报特开2005-197396号公报(专利...
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