技术编号:6933313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种,特别是关于一种利用直通硅晶穿孔 (Through Silicon Via ;TSV)技术的。背景技术三维集成电路(3D IC)是利用先进的晶片堆叠技术而制备而成,其是将具不同功 能的芯片(chip)堆叠成具三维结构的集成电路(IC)。相较于二维结构的IC,3D IC的堆叠 技术不仅可使3D IC信号传递路径缩短,更让3D IC的运作速度加快,且具低耗电的表现。 要实现3D IC的堆叠技术,TSV技术是新一代使堆叠的芯片能够互连的技术。TS...
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