技术编号:6933318
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术以EEPROM为代表的非易失性半导体存储器件被配置为使得隧 道绝缘膜、电荷存储层、顶部绝缘膜和控制栅电极被堆叠在半导体衬 底上。然后,高电压被施加到控制栅电极从而使电子从半导体衬底穿 过隧道绝缘膜到达电荷存储层中以便进行写入操作。当电荷存储层由 例如多晶硅的导电材料构成时,该非易失性半导体存储器件被称为浮 栅型半导体存储器件。当电荷存储层由例如硅氮化物的绝缘材料构成 时,该非易失性半导体存储器件被称为浮置陷阱(floatingtrap...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。