技术编号：6933319
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有MONOS型的存储单元的NAND型非易失性半 导体存储装置。背景技术在闪存存储器中，伴随存储器容量的大容量化，进行着存储单元 尺寸的微细化。因此，在极微细单元中，将电荷积蓄层从浮栅型变更 为具有电荷陷阱(trap)功能的绝缘膜的MONOS ( Metal - Oxide-Nitride - Oxide - Semiconductor,金属氧化物氮化物氧化物半导体) 型存储器受到了关注。MONOS型存储器具有依次层叠了使电荷选择性地通过的隧道 ...
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