技术编号:6933657
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造工艺,尤其涉及一种整合互补式金属氧化 物半导体元件与光学元件于同一芯片的结构及其制造方法。背景技术近年来,例如发光二极管、激光二极管及紫外光光检测器的光学元件已 逐渐被使用。而用来形成上述元件的基板也被研究开发。第三族氮化合物, 例如氮化镓及其相关合金,已被认为相当适合用来形成光学元件。而第三族 氮化合物具备大能隙与高电子饱和速度的优势也使其适合应用于高温及高 速电力电子装置。然而,在一般生长温度下氮的平衡压力很高,因此很难获得氮...
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