技术编号:6933913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件中的栅结构和半导体器件中的栅结构的形成方 法。更具体地,本发明涉及多层栅结构和该栅结构的形成方法。背景技术常规的栅电极通常采用掺入杂质的多晶硅形成。随着半导体器件高度集 成,由于多晶硅具有相对高的电阻,所以多晶硅的栅电极不适合应用于半导体器件。因此,已经开发出具有多晶硅金属硅化物(polycide)结构的栅电 极,其具有低于多晶硅的电阻。具有多晶硅金属硅化物的常规栅电极一般包 括多晶硅膜和形成在多晶硅膜上的金属硅化物膜。这里,硅化钛膜或...
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