技术编号：6934228
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件 相关申请本申请在35U.S.C. 119下要求在2008年6月30日提交的韩国专 利申请No. 10-2008-0062702的优先权，其全部内容通过引用结合于此。背景技术随着持续注重高度集成的电子器件，当前需要操作于较高速度和 较低功率并且具有增加的器件密度的半导体存储器器件。为了实现该 目的，极大地按比例縮放并且具有多层器件的器件已在开发中，在该 多层器件中晶体管单元布置在水平和垂直阵列中。随着器件尺寸...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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