技术编号：6935385
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制作基于化合物半导体的多功能单片集成的光子回路的方法，特别是涉及利用氮等离子体诱导的。背景技术随着光电子器件和光纤技术的不断发展，光子集成回路(PIC)和光电子集成回路(OEIC)越来越受到人们的重视。为了实现激光、调制、探测和无源波导等不同功能光电子元件在同一基片上的光电集成，传统的方法需要多次选择性外延生长(Etch-and-Regrowth)，或在经初始刻蚀结构的基片上生长(SelectiveArea Epoitaxy)，这些技术不仅工艺复...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。