技术编号:6935489
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种晶体管及其制造方法,且特别是有关于一种金属氧化半导体 晶体管及其制造方法。背景技术横向扩散金属氧化半导体(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor,以 下简称LDMOS)晶体管在操作时具有高崩溃电压(Breakdown voltage)以及低的开启电阻 (On-state resistance,Ron)。因此,不论是在典型的电源集成电路上,或是在智能型电源 集成电路上,LDMOS晶体管都扮演着极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。