技术编号:6935790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,更具体地说,涉及这样一种半导体器件及其制造方 法在形成包含于高度集成的半导体存储器件中的晶胞阵列时,降低了位线的寄生电容值。 背景技术通过在硅晶片的预定区域中注入杂质或沉积新材料来形成半导体器件。半导体器 件的代表性例子可以是半导体存储器件。半导体存储器件包括大量元件,例如晶体管、电容 器、电阻器等。各个元件经由导电层而互连在一起,从而在各个元件之间交流数据或信号。随着制造半导体器件的技术的日益发展,很多人正在就如下方法做透彻的研...
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