技术编号:6936269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种。 背景技术在目前提高器件积集度的趋势下,堆栈栅极型(stacked-gate type)闪存的浮置 栅极与浮置栅极之间的距离愈来愈近,使得浮置栅极与隔离介电层间形成自我对准浮置栅 极(self-aligned floating gate)变成制作过程微缩的必要条件。随着制作过程的微缩, 形成自我对准浮置栅极目前最常见的方法是在隔离介电层与主动区形成的浅沟槽隔离过 程后,在隔离介电层与隔离介电层间的主动区域上成长穿隧氧化层,之...
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