技术编号:6936592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置,例如集成电路或其部分,尤其涉及形成半 导体装置的栅极结构的方法。背景技术随着科技的进步,晶体管栅极高度逐渐降低。例如,卯纳米工艺中栅极高度一般为约150nm。相较于32纳米工艺中栅极高度一般为约60nm。栅极 高度通常在多晶硅层沉积时确定,例如在多晶硅栅极或金属栅极技术。然而, 当希望降低栅极高度时会产生数个课题。当栅极高度太低时,相邻于该栅极 结构的基板难以进行例如低剂量漏极(low-dose drain; LDD)或袋状(晕化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。