技术编号:6936689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用等离子体对用于等离子体蚀刻的精细抗蚀剂图案 进行蚀刻修整的等离子体处理方法和在修整前对抗蚀剂图案进行改性 的抗蚀剂图案的改性方法。背景技术在半导体器件的制造工艺中,对作为被处理基板的半导体晶片, 通过光刻工序形成光致抗蚀剂图案,以此作为掩模进行蚀刻。近来,半导体器件越来越精细化,在蚀刻中也越来越需要精细加 工,对应于这种精细化,作为掩模被使用的光致抗蚀剂的厚度变薄,使用的光致抗蚀剂也由KrF抗蚀剂(g卩,在以KrF气体作为发光源的 激光下曝光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。