技术编号:6936973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其制造方法,特别涉及一种具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法。 背景技术当半导体装置例如场效应晶体管(FET)通过各种技术节点微縮化时,高介电常数 (high-k)介电材料和金属已被采用以形成栅极堆叠。然而,上述高介电常数介电材料和金 属栅极堆叠应用于P-型场效应晶体管(PFET)遭受到高起始电压的问题。因此,业界亟需 半导体装置及其制造方法以解决上述问题。发明内容 为了解决现有技术存在的上述问题,本发明的实施例提供一种制作具有金...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。