技术编号:6937438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体的制造,尤其是一种自行对准转接通道(self-aligned landing via)的制作方法,为一种利用特殊的字元线布局以及侧壁子回蚀刻,产生自行对准转接通道的方法。请参考附图说明图1与图2,图1与图2为习知制作一自行对准转接通道28的方法示意图。如图1所示,习知方法是先在一半导体晶片10的基底12表面形成复数条字元线20作为MOS晶体管的栅极。字元线20为一堆叠导电层(stacked layer),包含有一掺杂多晶硅层14、一金属硅化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。