技术编号:6937502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种静电放电(electrostatic discharge,以下简称为ESD)保护 电路以及集成电路,且特别是关于一种使用扩散电阻(diffusion resistor)及寄生二极管 (parasitic diode)的ESD保护电路以及集成电路。背景技术从半导体的制造工艺发展看来,互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,以下简称为CMOS)晶体管的尺寸已达到亚微米 (sub-mi...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。