技术编号:6937814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,尤其涉及一种铝的。背景技术在半导体制造工艺中,对铝的腐蚀可以分两步进行先进行湿法腐蚀,然后进行干 法腐蚀。图1是传统两步铝腐蚀工艺的流程图,湿法腐蚀铝和干法腐蚀铝之间有一个排队 等待的过程。在由湿法腐蚀到干法腐蚀的过程中,若排队等待的时间过长,铝表面的光刻胶即 会出现起泡现象,从而导致即使去胶后仍会有光刻胶的残留。图2是排队等待干法腐蚀的 时间达到18小时后,铝表面残留光刻胶的俯视照片。图3是排队等待干法腐蚀的时间达到 18小时后...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。