专利名称：腐蚀控制方法
腐蚀控制方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种铝的腐蚀控制方法。背景技术：
在半导体制造工艺中，对铝的腐蚀可以分两步进行先进行湿法腐蚀，然后进行干 法腐蚀。图1是传统两步铝腐蚀工艺的流程图，湿法腐蚀铝和干法腐蚀铝之间有一个排队 等待的过程。在由湿法腐蚀到干法腐蚀的过程中，若排队等待的时间过长，铝表面的光刻胶即 会出现起泡现象，从而导致即使去胶后仍会有光刻胶的残留。图2是排队等待干法腐蚀的 时间达到18小时后，铝表面残留光刻胶的俯视照片。图3是排队等待干法腐蚀的时间达到 18小时后，铝表面残留光刻胶的剖面照片。
发明内容为了解决圆片等待干法腐蚀时间过长，导致铝层表面光刻胶残留的问题，有必要 提供一种腐蚀控制方法，对排队等待干法腐蚀铝的圆片进行监控。一种腐蚀控制方法，包括如下步骤获取各工序的圆片信息；根据所述圆片信息 计算干法腐蚀的圆片参数，若该参数小于预定值，能够保证等待干法腐蚀的圆片不会发生 光刻胶残留，则控制圆片进入湿法腐蚀。优选的，所述干法腐蚀的圆片参数是所有等待进行干法腐蚀的圆片腐蚀完毕所需 时间T1与正在进行干法腐蚀的圆片离完成干法腐蚀剩余的时间T2之和，所述预定值是预定 的排队时间Qt与湿法腐蚀一批圆片的时间T3之和。优选的，所述干法腐蚀的圆片参数是所有等待进行干法腐蚀的圆片腐蚀完毕所需 时间T1与干法腐蚀一批圆片的标准时间T之和，所述预定的时间是预定的排队时间Qt与湿 法腐蚀一批圆片的时间T3之和。优选的，所述排队时间&是铝层从湿法腐蚀结束到干法腐蚀开始之间不会发生光 刻胶残留的极限时间。优选的，所述排队时间Qt是7小时。优选的，所述干法腐蚀的圆片参数是等待进行干法腐蚀的圆片数量A1与正在进 行干法腐蚀的圆片数量A2之和，所述预定值是预定的排队数量 。优选的，所述干法腐蚀的圆片参数是等待进行干法腐蚀的圆片数量A1与干法腐蚀 一批圆片的标准数量A之和，所述预定值是预定的排队数量Qa。优选的，所述排队数量A是根据铝层从湿法腐蚀结束到干法腐蚀开始，不会发生 光刻胶残留的极限时间以及铝腐蚀工序的速率确定的，以保证等待干法腐蚀的圆片不会发 生光刻胶残留。优选的，所述预定值是根据实验结果预先确定的。优选的，所述统计生成排队报表，是每隔预定时间生成一次，或者每批圆片完成湿
3法腐蚀后生成一次，或者每批圆片完成干法腐蚀后生成一次。上述腐蚀控制方法相对于传统工艺，增加了获取各工序圆片信息参数并进行腐蚀 控制的步骤，通过对湿法腐蚀铝的圆片进行控制，实现了铝湿法和干法腐蚀之间的协调，保 证了圆片在规定的时间内完成腐蚀工序，防止由于等待干法腐蚀的时间过长造成铝层表面 光刻胶的残留，因此提高了芯片的良品率和生产效率，降低了生产成本。
图1是传统两步铝腐蚀工艺的流程图。图2是铝表面残胶的俯视图片。图3是铝表面残胶的剖面图片。图4是腐蚀控制方法的流程图。
具体实施方式以下实施方式的腐蚀控制方法，对排队等待干法腐蚀铝的圆片进行监控，在预计 的排队时间或数量低于预定值时才进行湿法腐蚀，避免湿法腐蚀后因长时间等待干法腐蚀 造成铝层表面光刻胶残留的问题。图4是腐蚀控制方法的流程图。以下通过具体的实施例来对其进行说明。腐蚀控 制方法的第一实施方式包括以下步骤获取各工序的圆片信息。该信息包括了每一工序的操作者，开始作业时间，结束作业时间，作业设备等信 息；还包括等待进行干法腐蚀的圆片腐蚀完毕所需时间T1和正在进行干法腐蚀的圆片离 完成干法腐蚀剩余的时间T2等干法腐蚀的圆片参数。T1是所有正在等待进行干法腐蚀的圆片均完成干法腐蚀工序所需时间。例如有三 批晶圆片正在等待进行干法腐蚀，假设每批晶圆片干法腐蚀需要1小时，则T1 = 3*1 = 3小 时。T2是正在进行干法腐蚀的圆片离完成干法腐蚀工序剩余的时间。根据圆片信息进行腐蚀控制。铝层从湿法腐蚀结束到干法腐蚀开始，不会发生光刻胶残留的极限时间计为QT， 所述A由实验确定。在本实施方式中，将A设定为排队时间。对一批圆片进行湿法腐蚀需 要的时间计为T3，根据圆片参数进行判断，若I\+T2 < Qt+T3，则控制圆片进入湿法腐蚀铝的 工序；否则控制圆片继续等待湿法腐蚀。考虑到实际操作中T2可能出现的误差，在其他可 选的实施方式中，可以以干法腐蚀一批圆片的标准时间τ作为裕度，即用 \+Τ < Qt+T3来判 断并据以控制。排队时间&会随光刻胶种类、涂胶厚度、涂胶方法等条件的不同而变化，需要根据 实验来确定。在优选的实施方式中，Qt的值为7小时。腐蚀控制方法的另一实施方式包括以下步骤获取各工序的圆片信息。该信息包括了每一工序的操作者，开始作业时间，结束作业时间，作业设备等信 息；还包括等待进行干法腐蚀的圆片数量A1和正在进行干法腐蚀的圆片数量A2等干法腐蚀 的圆片参数。
根据圆片信息进行腐蚀控制。铝层从湿法腐蚀结束到干法腐蚀开始，不会发生光刻胶残留的极限时间计为QT。 在本实施方式中，根据A和铝腐蚀工序的速率设定排队数量Α。利用A作为等待中的圆片 数量的控制点，可以将等待干法腐蚀的圆片数量控制在一定范围内，避免其等待的时间超 过QT。根据圆片信息参数，若~+4 < A，则控制圆片进入湿法腐蚀铝的工序；否则控制圆 片继续等待湿法腐蚀。在其他实施方式中，可将干法腐蚀一批圆片的标准数量A作为裕度， 即用、+A< 来判断。获取各工序圆片信息参数的步骤是定时进行或在某工序完成后进行，例如间隔固 定的时间或在每批圆片湿法腐蚀铝完成以后，又或者在每批圆片干法腐蚀铝完成以后进 行。上述腐蚀控制方法相对于传统工艺，增加了获取各工序圆片信息并进行腐蚀控制 的步骤，通过对湿法腐蚀铝的圆片进行控制，实现了铝湿法和干法腐蚀之间的协调，保证了 圆片在规定的时间内完成腐蚀工序，防止由于等待干法腐蚀的时间过长造成铝层表面光刻 胶的残留，因此提高了芯片的良品率和生产效率，降低了生产成本。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种腐蚀控制方法，包括如下步骤获取各工序的圆片信息；根据所述圆片信息计算干法腐蚀的圆片参数，若该参数小于预定值，能够保证等待干 法腐蚀的圆片不会发生光刻胶残留，则控制圆片进入湿法腐蚀。
2.根据权利要求1所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述干法腐蚀的圆片参数是所 有等待进行干法腐蚀的圆片腐蚀完毕所需时间T1与正在进行干法腐蚀的圆片离完成干法 腐蚀剩余的时间T2之和，所述预定值是预定的排队时间Qt与湿法腐蚀一批圆片的时间T3之 和。
3.根据权利要求1所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述干法腐蚀的圆片参数是所 有等待进行干法腐蚀的圆片腐蚀完毕所需时间T1与干法腐蚀一批圆片的标准时间T之和， 所述预定的时间是预定的排队时间Qt与湿法腐蚀一批圆片的时间T3之和。
4.根据权利要求2或3所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述排队时间A是铝层从 湿法腐蚀结束到干法腐蚀开始之间不会发生光刻胶残留的极限时间。
5.根据权利要求4所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述排队时间&是7小时。
6.根据权利要求1所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述干法腐蚀的圆片参数是等 待进行干法腐蚀的圆片数量A1与正在进行干法腐蚀的圆片数量A2之和，所述预定值是预定 的排队数量A。
7.根据权利要求1所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述干法腐蚀的圆片参数是等 待进行干法腐蚀的圆片数量A1与干法腐蚀一批圆片的标准数量A之和，所述预定值是预定 的排队数量A。
8.根据权利要求6或7所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述排队数量A是根据铝 层从湿法腐蚀结束到干法腐蚀开始，不会发生光刻胶残留的极限时间以及铝腐蚀工序的速 率确定的，以保证等待干法腐蚀的圆片不会发生光刻胶残留。
9.根据权利要求1所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述预定值是根据实验结果预 先确定的。
10.根据权利要求1所述的腐蚀控制方法，其特征在于所述统计生成排队报表，是每 隔预定时间生成一次，或者每批圆片完成湿法腐蚀后生成一次，或者每批圆片完成干法腐 蚀后生成一次。
全文摘要
本发明涉及一种腐蚀控制方法，包括如下步骤获取各工序的圆片信息参数，包括干法腐蚀的圆片信息参数；根据圆片信息参数进行腐蚀控制，若所述干法腐蚀的圆片信息参数小于预定值，能够保证等待干法腐蚀的圆片不会发生光刻胶残留，则控制圆片进入湿法腐蚀程序，否则控制圆片继续等待。本发明相对于传统工艺，增加了获取各工序圆片信息参数并进行腐蚀控制的步骤，通过对湿法腐蚀铝的圆片进行控制，实现了铝湿法和干法腐蚀之间的协调，保证了圆片在规定的时间内完成腐蚀工序，防止由于等待干法腐蚀的时间过长造成铝层表面光刻胶的残留，因此提高了芯片的良品率和生产效率，降低了生产成本。
文档编号H01L21/00GK102080230SQ20091018853
公开日2011年6月1日 申请日期2009年12月1日 优先权日2009年12月1日
发明者王军 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司