技术编号:6938012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片设计,特别是一种应用于DMOS(Double Diffusion MOSFET,双扩散晶体管)的ESD(Electro Static Discharge,静电放电)保护设计 方法。背景技术DMOS是目前半导体领域广泛使用的功率型MOSFET(Metal Oxided Semiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应管)制造技术,其中,栅极 氧化层(以下简称栅氧层)是栅极和源极的隔离介质,但...
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