技术编号:6938231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件互连层制造,特别涉及一种。 背景技术目前,在半导体器件的后段(back-end-of-line,BE0L)工艺中,制作半导体集成 电路时,半导体器件层形成之后,需要在半导体器件层之上形成金属互连层,每层金属互连 层包括金属互连线和绝缘材料层,这就需要对上述绝缘材料层制造沟槽(trench)和连接 孔,然后在上述沟槽和连接孔内沉积金属,沉积的金属即为金属互连线,一般选用铜作为金 属互连线材料。绝缘材料层包括刻蚀终止层,例如氮化硅层,还包括...
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