技术编号:6938290
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路,特别涉及。 背景技术目前,集成电路器件结构中常结合有二极管结构,当器件遭遇瞬间较大电压 时,通过利用二极管的击穿特性保护器件免受损坏。例如,参照图1所示,一种现有的二极管结构的简易示意包括对衬底进行P型 轻掺杂形成的P阱10 ; P阱10中的隔离层20 ; P阱10中由隔离层20分隔出的有源区中 的N型重掺杂区31、P型重掺杂区32; N型重掺杂区31底部的P阱10中的P型摻杂区 40。P型掺杂区40和N型重掺杂区31形成PN结,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。